مروری بر کاربردها و فناوری های به روز دستگاه رسوبدهی بخار شیمیایی (CVD)

دستگاه رسوب دهی بخار شیمیایی (CVD[1])

• معرفی:

یکی از روش­های لایه نشانی، روش رسوب دهی بخار شیمیایی (CVD) است. این روش بر مبنای تجزیه و یا واکنش­های شیمیایی از واکنشگرهای گازی در یک محیط فعال شده (گرما، نور و پلاسما) برای ایجاد یک پوشش جامد پایدار می­باشد. با این روش می­توان موادی در مقیاس نانومتری و با خلوص بالا  به صورت تک لایه، چند لایه، کامپوزیت نانو ساختار و پوشش­هایی با کنترل ابعادی بسیار عالی و ساختار یکنواخت در فشار­های پایین تولید کرد.

• تاریخچه:

نخستین استفاده از روش­های پوشش­دهی در سال 1880 به منظور تولید لامپ­های تزیینی برای تقویت استحکام رشته­ها با پوشش کربنی یا فلزی بود. در همان دهه تعدادی از اختراعات مربوط به پوشش­دهی ثبت شد. در50 سال بعد پوشش دهی با رشد کمی و در راستای استفاده بیشتر در جهت تولید فلزات خلوص بالا مقاوم مانند تانتالیوم و تیانیوم و زیرکونیم محدود شد.  در پایان جنگ جهانی دوم به محض اینکه محققان متوجه محسنات روش پوشش دهی، برای تولید پوشش­ها و شکل­های آزاد شدند، به سرعت توسعه یافت. تاریخ­های مهم دیگری در توسعه پوشش دهی در جهان وجود دارد که به شرح زیر است:

سال 1960 برای نخستین بار روش­ رسوب دهی بخار شیمیایی (CVD) به شکل امروزی آن­ها معرفی شد و برای ساخت نیمه هادی­ها، پوشش­های کاربیدی (TCI) بر روی ابزار تراشکاری و پوشش­های تنگستنی مورد استفاده قرار گرفت. تا اینکه در سال 1963 رسوب دهی بخار شیمیایی با کمک پلاسما در الکترودها به کار گرفته شد. سال 1968 برای نخستین بار در صنعت از کاربید سمانته شده پوشش داده شده با روش CVD استفاده شد. در سال 1980 پوشش­های الماسی با استفاده از CVD معرفی شدند. 1990 استفاده از CVD در رسوب فلزات آلی بر روی سرامیک و فلزات ([2]MOCVD) به سرعت گسترش یافت. در همان سال روش رسوب دهی بخار شیمیایی در تولید ابزارهای اپتیکی و فوتوالکتریک مورد توجه قرار گرفت. امروزه با گذشت بیش از یک قرن، برای گسترش و بهبود روش­های رسوب دهی شیمیایی و به کارگیری آن در صنعت تلاش­هایی مستمر صورت گرفته است ]1[

• مکانیسم رسوب دهی شیمیایی بخار: به طور کلی این فرایند شامل ورود گازهای واکنش دهنده به داخل راکتور، نفوذ گازها از محفظه، تماس گازها با سطح زیر لایه، نشست گاز بر روی زیر لایه و نفوذ محصولات جانبی واکنش از طریق لایه نشانی است که تمامی این مراحل در دمای بالا و فشار کم به خوبی انجام می گیرد. بنابراین این فرایند باعث ایجاد یک لایه نازک توسط واکنش شیمیایی و رسوب دهی لایه جامد بر روی بستر می شود]2[

شکل (1) مکانیسم رسوب دهی بخار شیمیایی

• مزایا و معایب عمومی روش CVD :

لایه نشانی بخار شیمیایی، یکی از مهم­ترین روش­های پوشش­دهی است که امروزه با توجه به مزایا و معایبی که دارد، کاربردهای آن در حوزه صنعتی بسیار گسترده شده است. در ادامه به طور مختصر مزایا و معایب این روش شرح داده می­شود:

مزایا:

• سرعت لایه نشانی نسبتا بالاست (10 تا 100 نانومتر بر ثانیه)
• چسبندگی آن نسبت به روش فیزیکی بهتر است.
• فرایند در فشار معمول می­توان کنترل کرد.
• این روش برای لایه نشانی چند لایه­ای، بسیار مناسب است.
• با توجه به ماهیت واکنش­ها، لایه نشانی بر روی زیر لایه­های حفره دار(فوم نیکل) هم به خوبی قابل انجام است و ضخامت لایه یکنواخت و مستقل از شکل بستر است.
• مورفولوژی سطح و جهت­دهی رسوب و ساختار بلوری را می­تواند کنترل کند.

معایب:

• امکان برورز واکنش­های ناخواسته در آن روش وجود دارد که گاهی ممکن است اشکالات جدی در لایه­نشانی و یا داخل راکتور به وجود آید.
• امکان وجود خطر انفجار در راکتور وجود دارد.
• کنترل پارامتر­های ترمودینامیکی (فشار، دما، تعداد ذرات ورودی) در این روش بسیار سخت است.
• کنترل واکنش­ها و در نتیجه کنترل یکنواختی در این روش بسیار مشکل است.
• با توجه به اینکه بیشتر واکنش­های به درجه حرارت بالا نیاز دارد که این موضوع موجب تنش حرارتی بر روی لایه و زیرلایه می­شود.
• اکثر مواد واکنش­دهنده گران هستند.

کاربرد:

• رسوب دهی شیمیایی بخار در تولید نانو ساختار­های نیمه هادی استفاده می­شود.
• در رسوب فیلم­های گوناگون نظیر تیتانیوم نیترید، ژرمانیوم، سیلیکون نیترید و…
• سنتز گرافن تک لایه، گرافن فوم
• در فرایند پوشش­دهی قطعات مختلف در جهت بهبود خواص نوری، الکتریکی، گرمایی، مکانیکی
• ایجاد مقاومت در مقابل خوردگی در فیلم­های پوشش داده شده است]3،4.[

 

• انواع روش­های رسوب­دهی شیمیایی بخار :

به منظور تشکیل لایه نازک از پیش ماده­های مختلف از روش­های متفاوتی مانند گرما، پلاسما، لیزر و فوتون و… استفاده می­شود که به اختصار در زیر توضیح داده می­شود.

• رسوب­دهی شیمیایی بخار گرمایی: در این فرایند از انرژی گرمایی برای کمک به آغاز واکنش­های گازی استفاده می­شود، بدین گونه که گاز­های واکنش دهنده به راکتور انتقال یافته و زیرلایه برای افزایش بازدهی لایه­نشانی گرم می­شود. همچنین این فرایند سبب حذف آلودگی­ها و ناخالصی­های موجود بر روی سطح نمونه و داخل لوله مرکزی می­شود.
• رسوب­دهی شیمیایی بخار براساس فشار:

 

  الف) رسوب­دهی شیمیایی بخار در فشار اتمسفری[3] (APCVD): این نوع از رسوب­دهی می­تواند در دمای بالا یا پایین مورد استفاده قرار گیرد. پوشش فلزی سخت مانند کاربید تیتانیوم و نیترید تیتانیوم و گرافن فوم معمولا در دمای بالا تولید می­شود. تشکیل بسیاری از لایه­های نازک مانند SiO₂ نیز در دمای پایین صورت می­گیرد. این روش به علت نرخ پایین رسوب­دهی دچار چالش­هایی همانند عدم یکنواختی ضخامت، پوشش­دهی نامناسب سطوح غیر مسطح، آلودگی و وجود نواقص حفره­ای می­شود.

 

ب)رسوب­دهی شیمیایی بخار در فشار پایین [4] (LPCVD): فرایند در محدوده فشار بین1 تا 10 میلی­تور، انجام می­گیرد. در فشار پایین، غلظت بیشتری از گاز متراکم می­شود و مقادیر بیشتری از گاز به زیر لایه نفوذ می­کند و به دلیل کاهش واکنش­های ناخواسته در فشار پایین، نواقص کمتری به وجود می­آید. همچنین میزان پوشش­دهی یکنواخت­تر و ضخامت لایه در سطوح غیر مسطح بیشتر خواهد بود. این فرایند به دمای بالا وابستگی دارد.

ج) رسوب­دهی شیمیایی بخار فشار خیلی کم یا خلا خیلی بالا [5](UHVCVD): فشار راکتور در این روش در نزدیکی  تور است. در تهیه انواع ساختارهای نانو بلوری و ویفرهای چند لایه و فیلمهای اپیتکسیال با کیفیت بالا نظیر ژرمانیوم، سیلیکون استفاده می شود. به طور عمده از این فرایند در صنایع نیمه هادی برای رسوب فیلم­های نازک نظیر GaAs روی سیلیکون کاربرد دارد. همچنین در دمای پایین برای تهیه ترانزیستورهای فیلم نازک مورد استفاده در دیودهای PIN به کار گرفته می­شود.

 

• رسوب­دهی شیمیایی بخار آلی فلزی(MOCVD): در این فرایند از مواد آلی-فلزی نظیر تانتالیوم اتوکسیدTa(OC₂H₅)₅) ) و تترادی متیل آمینوتیتانیوم (TDMAT) برای تولید روکش­هایی از جنس اکسید تیتانیوم (TiO₂) و برای تهیه نیترید تیتانیم (TiN) استفاده می­شود. واکنش دهنده­ها در دمای نسبتا پایین فرار هستند. در این روش می­توان لایه­های نازک اپیتکسیال با کیفیت بالایی در مقیاس نانو ایجاد کرد.

 

• رسوب­دهی شیمیایی بخار پلاسمایی[6](PECVD): این روش به با استفاده از پلاسما در دما و فشار پایین کیفیت لایه نازک را بهبود می­بخشد و به یکنواختی پوشش کمک می­کند. استفاده از دمای پایین در ساخت نیمه هادی­ها ضروری است. به عنوان مثال کاربید تیتانیوم که به صورت نرمال زیر 1200 درجه سانتی گراد تشکیل نمی­شود پلاسما امکان تولید در دمای 700 درجه سانتی گراد را فراهم می­کند. این روش در فشار 5 تا 50 میلی تور باعث می­شود یون ها با انرژی کمتری به زیر لایه برخورد کنند بنابراین نواقص روی زیر لایه کاهش می­یابد.

 

• رسوب­دهی شیمیایی بخار لایه اتمی[7](ALCVD): در این روش دو ماده اولیه به طور متناوب داخل محفظه واکنش وارد می­شوند، بدین ترتیب که ابتدا یکی از مواد در غیاب ماده دوم روی سطی که رسوب روی آن ایجاد می­شود، جذب می­شود. سپس ماده دوم به محیط اضافه می­شود و واکنش انجام می­پذیرد. ضخامت فیلم با مقدار ماده ورودی به محفظه واکنش کنترل می شود و امکان کنترل دقیق ضخامت فیلم و یک شکل بودن آن وجود دارد.

 

• رسوب­دهی شیمیایی بخار فوتونی[8](PICVD): این روش به کمک تحریکات فوتونی (نور(UV بر روی واکنش­های شیمیایی آغاز می­شود]5،6.[

 

• مزایا و معیاب و کاربرد روش های مختلف CVD:

جدول (1)، به صورت خلاصه مزایا، معایب و کاربرد روش­های مختلف رسوب­دهی بخار شیمیایی را شرح می­دهد:

 

 

 

	APCVD	LPCVD	MOCVD	PECVD	UHVCVD
مزایا	ساده، نرخ رسوب گذاری بالا، ارزان	یکنواختی عالی، خلوص بالا	قابل استفاده برای فلزات، نیمه رساناها و دی الکتریک ها	دمای کم برای انجام لایه نشانی، چسبندگی بالا	کیفیت بالای فیلم، دمای پایین
	یکنواختی کمتر،خواص  کمتر	نرخ رسوب گذاری پایین	بسیار سمی، گران قیمت	پلاسما گاهی باعث تخریب لایه و نمونه می شود	دشواری کنترل خلا و فشار پایین
کاربرد	لایه های اکسیدی ضخیم	لایه نشانی دی الکتریک ها، پلی سیلیکن، گرافن فوم	ساخت LED، دیود لیزرها، نیمرساناها	لایه نشانی دی الکتریک	در صنایع نیمه هادی، تهیه ترانزیستورهای فیلم نازک، گرافن

جدول (1)

 

• رسوب دهی بخار شیمیایی با فوتون همانند رسوب­دهی پلاسمایی است با این تفاوت که در روش پلاسمایی از تشعشعات UV قوی­تری استفاده شده است.

 

• شرکت­های تولید کننده خارجی:
• شرکت Applied Materials [9]

 

• این شرکت سیستم AKT 55KS PECVD با دقت بالایی به رسوب­دهی بخار با پلاسما بر روی زیر لایه­هایی در ابعاد 2200mm*2500mm فرایند رسوب دهی را انجام می­دهد. این وسیله می­تواند بین ترانزیستور­های اکسید فلزی (MO) با یک سیلیکون اکسید (SiO₂) از قبل تهیه شده پیوند برقرار کند. این فرایند موجب به حداقل رساندن ناخالصی­های هیدروژنی برای بهبود پایداری ترانزیستور در دراز مدت و بهینه سازی عملکرد صفحه نمایش می­شود. سیستم AKT-55KS PECVD می­تواند با کنترل یکنواختی لایه نشانی ذرات، نمایشگرهای MO با کیفیت بالا را تولید انبوه کند.

شکل (2) سیستم [7] AKT-55KS PECVD

 

• سیستم Enflexor™ Gen 6H PECVD با استفاده از پلاسما در CVD و نگهداری فیلم­های نازک، زمینه فناوری [10]OLED انعطاف­پذیر را فراهم می­کند. این سیستم طیف وسیعی از فیلم­های حائل و فناوری پوشش­دهی در یک فرایند سیستم را فراهم می­کند. همچنین به راحتی توانایی تولید انبوه سایر ابزارهای OLED را دارد.

شکل (3) سیستم  Enflexor™ Gen 6H PECVD ]7[

 

 

 

 

 

• شرکت CVD Equipment Corporation[11]

 

• Atmospheric Pressure CVD Systems (APCVD) :

این شرکت اغلب به صورت انلاین یا افلاین سیستم­های  APCVD CVDgCoat™  که برای قرار دادن یک لایه مواد با ضخامتی به طور میانگین چندین میکرومتر بر روی ویفرها و یا انواع دیگر زیر لایه­ها و برای رشد فیلم­های اپتیکسیال­های سیسلسیوم،  نیمه هادی­های ترکیب شده، SiO₂، پوشش­های ضد انعکاس[12] (AR) ، پوشش­های اکسیدی رسانای شفاف مانند (TCO) و به عنوان فرایندی برای  بهبود عملکرد و عمر ابزار و تیغه­های توربینی استفاده می­شود.

 

شکل (4) سیستم  APCVD CVDgCoat™ ]8[

 

• :Low Pressure CVD Systems (LPCVD)

این سیستم می­تواند به طور یکنواخت بسیاری از مواد با فیلم نازک از جمله سیلیکون کاربید، نیترید، اکسید­ها، پلی و اپی سیلیکون، اکسید­های رسانایی شفاف، گرافن، فیلم­های اپتیکل Si/SiGe، فیلم­های فلزی و سرامیکی و… این سیستم برای سنتز نانو مواد از جمله نانو لوله­های کربنی، گرافن، نانوسیم­های نیمه هادی و کریستال­های دو بعدی مانند نیترید بور و دی سولفید مولیبدن استفاده می­شود. پوشش­های LPCVD دارای یکنواختی بالا، خلوص بالا و پوشش­های چند مرحله ای خوبی است. بسته به نیاز فرایند، سیستم LPCVD  این شرکت توانایی ایجاد خلا بر اساس نوع ماده سنتز شونده و فشاری قابل تنظیم دارد. سیستم خلا به یک سیستم کنترل مرکزی و امنی متصل می­شود.

شکل (5) LPCVD  شرکت Equipment Corporation ]8[

 

• Metal Organic CVD Systems (MOCVD):

سیستم MOCVD این شرکت توانایی قرار دادن لایه­های ترکیب مورد نظر را بر روی بستری مناسب با ترکیب را دارد و به وسیله­ی نرم افزار میزان جریان (گاز) عبوری را کنترل می­کند. در نتیجه تعداد لایه­ها با دقت بشتری کنترل می­شود.  همچنین قابلیت استفاده از ویفر­هایی که توسط خود کاربر طراحی شده است را دارد. دما و مقدار پیش ماده­ها و گازهای وروردی همراه با چرخش بستر در طول فرایند رسوب تحت کنترل است و رسوب گذاری یکنواختی را فراهم می­کند. در سیستم می­توان مواد شیمیایی سمی را قرار داد. وجود قفل در محفظه مانع از ورود آلودگی به محفظه می­شود. سیستم کنترلی CVDWinPrC™ به صورت خودکار داده­ها را وارد می­کند و به صورت گرافیکی مقادیر وابسته به زمان را نمایش می­دهد. همچنین کاربر می­تواند مقادیر پیش فرض را تغییر دهد و دستور عمل جدیدی را وارد کند و نمایش زمان واقعی و داده­های ذخیره را می­توان مشاهده کرد.

شکل (6) سیستم MOCVD ]8[

 

• EasyTube® PECVD

در این شرکت سیستم PECVD برای کاربردهای صنعتی طراحی و ساخته شده است. این سیستم از طریق نام تجاری FirstNano® و برند R&D تولید می­شود.

EasyTube® 2000 یک سیستم کوچک برای اندازه ویفر تا 4 اینچ است. در حالی که EasyTube® 3000 می­تواند یک ویفر تا 6 اینچ را پردازش کند.

 

شکل (7) EasyTube® PECVD ]8[

 

• Ultra-High Vacuum Multi-Chamber Cluster Tool Systems (UHVCVD) :

سیستم رسوب­دهی بخار شیمیایی خلا فوق بالا (UHVCVD) شرکت CVD Equipment به صورت اتوماتیک ویفر­هایی با قطر 1-200 mm در دمای 900 در جه سانتی گراد کنترل می­کند. سیستم شامل یک قفل بار و لوله ی رسوب است. محفظه­ی بار قفل دارای رباتی است که ویفر 200 میلی­متر بین قفل و لوله حرکت می­دهد؛ این باعث می­شود میزان انتقال جو محیطی به لوله به حداقل برسد. سیستم لوله خلا با فشار کمتر از 10 mTorr طراحی شده است. قادر به تمیز کردن لوله در فشار کمتر از  تور و تمیز کردن قفل بار در فشار کمتر از  در دمای اتاق بدون جریان گاز است.

سیستم گرمایشی این شرکت دارای گرمایشی یکنواخت و دقیق در هر دو جهت شعاعی و محوری است. سیستم گرماده ای سه گانه به حداکثر دمای 900 درجه سانتی گراد در یک سطح مسطح به صورت طولانی مدت و سریع می­رسد. ( با خطای   درجه سانتی­گراد) .

سیستم گاز که در مجاورت وروردی گاز محفظه برای اتصال بین اجزای و محوطه محفظه فرایند قرار دارد. تا ورود گاز سریع انجام گیرد. یک محفظه انتقال خلا بالا برای ویفر در محفظه فرایند تحت فشار جزئی H₂ فراهم شده است. از این سیستم برای رسوب کم از فیلم­های سیلیکون و ژرمانیوم سیلیکون که در آن تغییرات ناگهانی ترکیب مورد نیاز است استفاده می­شود.

 

شکل (8) UHVCVD شرکت CVD Equipment ]8[

 

• شرکت [13]Veeco Instruments Inc

 

• TurboDisc K475i As/P MOCVD System :

سیستم جدید شرکت Veeco با نام K475i دارای طراحی جدید راکتور با تکنولوژیUniform  FlowFlange™  است، بهترین راکتور صنعتی برای تولید LEDهای قرمز،نارنجی، زرد و سلول­های خورشیدی چند منظوره ((lll-V، دیود­های لیزری و ترانزیستو­ها است، همچنین توانایی تولید ویفرهایی لایه نازک با یکنواختی بسیار بالا، فرایند تکرار پذیری درون ویفر و بالاترین بهره­وری صنعتی به علت اتوماسیون کامل دارد. در ضمن پلت فرم تولیدی ثبت شده، کمترین هزینه مالکیت را فراهم می­کند.

 

شکل (9) TurboDisc K475i As/P MOCVD System ]9[

 

• سیستم Veeco’s Propel™ Power GaN MOCVD :

سیستم Veeco’s Propel™ Power GaN MOCVD به طور خاص برای صنعت الکترونیک قدرت طراحی شده است. این دارای جایگاه راکتور واحدی برای ویفراست که قادر به پردازش ویفر هایی با قطر 6 و 8 اینچی است. راکتور تک ویفره براساس طراحی TurboDisc® با تکنولوژی پیشرفته از جمله فناوری­های جدید IsoFlange™ و SymmHeat™ است. جریان همگن با مشخصات دمایی یکنواخت را در سرتاسر ویفر ایجاد می­کند. از ویژگی­های این دستگاه می­توان یکنواختی عالی فیلم و نقص ساختاری کم، تولید در حجم زیاد، طراحی مطابق با اندازه و مقیاس ویفر برای سهولت در نگه داری و پیکربندی و بهره برداری می­توان نام برد.

شکل (10) Veeco’s Propel™ Power GaN MOCVD ]9[

 

• شرکت [14]furnace-tech :
• CVD :

در شرکت furnace-tech سیستم CVD  با ویفرهای نیمه هادی یا سلول های خورشیدی  طراحی شده است. سیستم کوره توسط نور هالوژن در اطراف لوله به حداکثر دمای می­رسد و سیستم را گرم می­کند. نرخ گرمایش حداکثر 300    (با دقت  درجه سانتی گراد) است. از جمله ویژگی­های آن می­توان دمای یکنواخت، کنترل خودکار PLD از طریق کنترل قدرت SCR  و محافظ در دماهای بالا، زنگ خطر و اتاق کشویی برای خنک کردن سریع ویفر نام برد. در سیستم  لوازم جانبی همانند لوله کوارتزی برای دمای 1200 درجه سانتی گراد، فلنج خلا 1 قطعه، کلید آلن 4 قطعه، قرار دارد. از این کمپانی می­توان سیستم سنجش خلا دیجیتالی و پمپ خلا را به صورت اختیاری سفارش دهید و در سیستم تعبیه کنید.

شکل (11) سیستم CVD (I) شرکت  furnace-tech ]10[

 

• CVD Kejia :

سری جدید کوره­های لوله ای با نام Kejia برای عملیات حرارتی انواع مواد تحت شرایط هوایی و خلا و یا گازهای دیگر طراحی شده است. این سیستم با استفاده از آلومینا با خواص بالا یا لوله کوارتز به عنوان لوله کوره می تواند سریع خنک شود. ساختار افقی باعث می­شود گاز به آرامی و به طور یکنواخت بر روی نمونه انتشار یابد. این سیستم برای مواد پودری و ویفر­های نیمه هادی تحت شرایط خلا و یا سایر گازها استفاده می­شود. دمای کوره توسط یک کنترل هوشمند به حداکثر دمایی 1400 درجه سانتی گراد و حداکثر دمای عملیاتی 1600 درجه سانتی گراد ( با دقت   درجه سانتی گراد) کنترل می­شود. دارای پوشش دو لایه از فولاد و سیستم دو فن خنک کننده (نگهداری سیستم در درجه حرارت کمتر از 60 درجه سانتی گراد)  است. از یک عایق فیبر و یه عایق با خلوص بالا جهت صرفه جویی در انرژی استفاده شده است. توان این سیستم در 30 یا50 وات قابل کنترل است. کنترل اتوماتیک PID از طریق زاوبه فاز محدود کننده مقاومت را خاموش می­کند.

 

شکل (12)CVD Kejia   ]10[

 

• CVD System:

این سیستم یک ابزار ایده ال و مقرون به صرفه برای پوشاندن فیلم­های نازک یا تولید نانوسیم از حالت گاز به حالت جامد تحت دمای 800 تا 1600 درجه سانتی گراد است. حداکثر درجه حرارت کوره 1400 درجه سانتی­گراد، حداکثر دمای عملیاتی 1600 درجه سانتی گراد و طول منطقه داغ 300 یا 440 میلی­متر است. سیستم پیکر بندی افقی، ساختاری کم حجم با مصرف کم، قطر بیرونی لوله  تا 100 میلی متر و دو فن خنک کننده در اطراف همراه با کنترل PID دارد. همچنین می­توان از این کمپانی سیستم پمپ خلا و سنجش خلا دیجیتالی به صورت اختیاری سفارش داد.

شکل (13) سیستم CVD (II) شرکت furnace-tech ]10[

• PECVD System :

این کوره یک کوره ایده ال و مقرون به صرفه برای تهیه فیلم­های نازک و یا رشد نانوسیم از حالت گازی به جامد است. سیستم دارای جریان گاز با مخزن مخلوط گاز، پمپ مکانیکی با کیفیت بالا، لوله با قطر بیرونی تا 100 میلی متر، پیکر بندی افقی، ساختار کم حجم و کم مصرف، دو فن خنک کننده در اطراف و کنترل اتوماتیک PID است. حداکثر درجه حرارت 1400 درجه سانتی گراد، و حداکثر دمای عملیاتی 1600 درجه سانتی­گراد، طول منطقه داغ ، 400، 300 یا 440 میلی­متر می­باشد، در ضمن می­توان از این کمپانی سیستم پمپ خلا و سنجش خلا دیجیتالی به صورت اختیاری سفارش داد.

 

شکل (14) سیستم PECVD شرکت furnace-tech ]10[

 

• شرکت ULVAC[15]

 

• CVD مدل CC-200/400:

CVD مدل CC-200/400 یک سیستم جمع و جور برای استفاده آسان در زمینه­ی R&D و تولید طراحی شده است. از جمله ویژگی­های مهم این سیستم عبارتند از: پردازش پلاسما با چگالی بالا 27.12 مگا هرتز، تمیز کردن محفظه دستگاه توسط پلاسمای CF₄+O₂، قابلیت استفاده از بستر­هایی با اندازه مختلف ( ابعاد میکرومتری و نانو متری) را می­توان نام برد. در تهیه باطری­های خورشیدی و سیستم­های اپتیکی و الکتریکی مورد استفاده قرار می­گیرد.

شکل (15) CVD مدل CC-200/400 ]11[

 

 

• PECVD مدل CME-200E/400:

PECVD مدل CME-200E/400 مناسب­ترین مدل در سری مدل­های PECVD تولیدی برای رسوب­گذاری فیلم­های سیلیسیم است. حداکثر ابعاد زیر لایه در این سیستم با دو مدل   CME-200Eو CME-400 به ترتیب 200×200 میلی­متر و 300×300  میلی­متر می­باشد. از جمله ویژگی­های دستگاه می­توان به موارد زیر اشاره کرد:

پردازش پلاسما با چگالی بالا همراه با منبع تغذیه با فرکانس بالای 27.12 مگا هرتز، تمیز کردن محفظه با پلاسما NF₃+Ar، پشتیبانی از رسوب­گذاری در دمای پایین است.

شکل (16) CME-200E/400 ]11[

 

• دستگاه ETP CVD :

دستگاه ETP CVD  یک سیستم پلاسمای گرمایی با مدل ULGLAZE  است که  برای پوشش دادن خراش­ها و ایجاد مقاومت در برای سایش و خوردگی روی پلی کربنات با استفاده از مونومر و واکنش­های اکسیدی مورد استفاده قرار می­گیرد. در این سیستم فرایند لایه نشانی لایه نازک با دمای کم و با سرعت پوشش­دهی 30 برابر پوشش دهی RF-PECVD  صورت می­گیرد. از این دستگاه می­توان در صنعت خودرو­سازی و برای شیشه­های خودرو که حاوی پلی کربنات (به استثنای شیشه جلو اتومبیل) استفاده کرد.

شکل (17) دستگاه ETP CVD مدل ULGLAZE ]11[

• شرکت [16]AIXTRON
• PECVD:

شرکت AIXTRON، سیستم PECVD جهت تولید نانولوله­های کربنی و گرافن با مشخصات فنی زیر تولید می­کند:

این سیستم دارای دو مدل زیر است:

• مدل BM Pro:  این مدل دارای 10 کانال گازی برای انتخاب منبع گاز گسترده همراه با توزیع گاز یکنواخت، حداکثر درجه حرارت 1050 درجه سانتی گراد، سرعت بالا رفتن دما حداکثر 300 ، سیستم ایمنی و دوربین پردازش مجتمع است. کنترل فرایند به صورت اتوماتیک و با دستور عمل ثابت انجام می­گیرد. ابعاد بستر قابل تنظیم 4 ،6، 8 اینچ است. این مدل در سنتز گرافن و نانو لوله­های کربنی با کیفیت بالا بر روی زیر لایه فویلی و ویفر­ها کاربرد دارد[12].

 

• مدل BM NOVO : این مدل دارای دیواره سرد ( برای پلاسما)، سیستم Glove box (برای مواد حساس و جهت ایجاد حداکثر ایمنی)، حداکثر دمای 1050 درجه سانتی گراد، 10 منبع گاز، سیستم ایمنی، کنترل فرایند به صورت اتوماتیک و با دستور عمل ثابت، پمپ توربو و اندازه جایگاه بستر حداکثر 4 اینچ است. این سیستم رسوب­دهی برای سنتز نانو مواد دو بعدی، به صورت یکنواخت بر روی ویفر و زیر لایه فویلی به کار می­رود.

 

شکل (18) سیستم PECVD مدل BM NOVO ]12[

• شرکت Denton vacuum [17]
• Voyager (PECVD):

شرکتDenton vacuum ، تولیدکننده سیستم Voyager که یک دستگاه رسوب­دهی بخار شیمیایی همراه با پلاسما (PECVD ) است، که جهت تولید صنعتی الماس مصنوعی (DLC) با ویژگی­های مکانیکی و الکتریکی و تریبولوژیکی قابل تنظیم و قطعات سه بعدی به عنوان مثال لنز­های نوری و لایه­نشانی لایه نازک همانند ویفر­های سیلکونی مورد استفاده قرار می­گیرد. این سیستم دارای سیستم کنترل Denton است که امکان کنترل خودکار و کنترل دستی را فراهم می­کند.

 

شکل (19) سیستم  Voyager (PECVD) ]13[

 

• شرکت Oxford Instruments[18]
• :Plasma Pro 80 PECVD

Plasma Pro 80 یک سیستم کوچک جهت تولید در حجم کم است. طراحی آن به گونه ای­ست که اجازه می­دهد ویفر با حداکثر ابعاد (نمونه 200 میلی­متر) به راحتی قرار گیری و برداشته و میزان اچ به خوبی کنترل شود، درجه حرارت به صورت یکنواخت و ارزان قیمت است.

 

شکل (20) Plasma Pro 80 PECVD ]14[

 

• Plasma Pro 100 PECVD :

این سیستم با قابلیت سنتز لایه­هایی با کیفیت و یکنواخت عالی، سرعت لایه نشانی بالا بر روی فیلم­ها، جای­گیری ویفر­ها با ابعاد مختلف (حداکثر 200 میلی متر)، حداکثر دما 1200 درجه سانتی گراد طراحی شده است. قادر به کنترل میزان رسوب­دهی شیمیایی، نقص­ها و ویژگی­های الکتریکی است. ارزان قیمت می­باشد.

شکل (21) Plasma Pro 100 PECVD ]14[

 

• :Plasma pro 800

Plasma pro 800 سیستمی جمع و جور با کنترل درجه حرارت بستر و فرایند عالی، برای فرایند­هایی با ویفرهای بزرگ در ابعاد 300 میلی طراحی شده است.

شکل (22) Plasma pro 800 ]14[

 

• Plasma pro 1000:

شرکت Oxford Instruments ، Plasma pro 1000  با جایگاه­های به صورت دسته­ای و محل­های تولید و رسوب­گذاری بزرگ، قفل بار خلا و قفل بار همراه با حداکثر سه اتاقک، توان بالا، کیفیت و عملکرد بالا و کم هزینه طراحی کرده است.

 

شکل (23) Plasma pro 1000 ]14[

 

 

جدول (2)، به طور مختصر مشخصات دستگاه­های رسوب دهی بخار شیمیایی خارجی را شرح می دهد:

نام شرکت	مدل­ها و مشخصات تجهیزات تولیدی شرکت­ خارجی					وب سایت
Applied Materials	AKT 55KS PECVD		Enflexor™ Gen 6H PECVD			www.appliedmaterials.com
	1-رسوب­دهی با پلاسما 2-ابعاد زیرلایه 2200mm*2500 mm 3-دقت بالا 4-کاهش ناخالصی­های هیدروژنی در جهت بهبود ترانزیستور 5- کنترل یکنواخت لایه نشانی 6-تولید انبوه نمایشگر MO (ترانزیستور اکسید فلزی) با کیفیت بالا		1-رسوب­دهی با پلاسما 2-مورد استفاده درتولید انبوه فیلم­های نازک OLED انعطاف پذیر
CVD Equipment Corporation	APCVD CVDgCoat™		LPCVD
	1-لایه نشانی به ضخامت چندین میکرون 2-مورد استفاده در * پوشش­های ضد انعکاس(AR) *پوشش ­اکسیدی رسانای شفاف *سنتز نیمه­هادی­های ترکیب شده *بهبود عملکرد و عمرتیغه توربینی		www.cvdequipment.com   1-لایه نشانی با خلوص و یکنواختی بالا 2-توانایی ایجاد خلا و فشار قابل تنظیم 3-مورد استفاده در سنتز یکنواخت فیلم­های نازک( اکسیدرسانای شفاف، سیلیکون کاربیدو..) سنتز نانومواد (نانولوله کربنی،گرافن، نانوسیم و…)
	MOCVD		EasyTube® PECVD			UHVCVD
	1-کنترل میزان جریان (گاز) عبوری با نرم افزار 2-کنترل دقیق تعداد لایه­ها و چرخش بستر 3-رسوب­گذاری یکنواخت 4-لایه­نشانی مواد سمی 5-حفظ محیط از الودگی توسط قفل مخصوص 6-دارای سیستم CVD Win Pre  جهت وارد کردن خودکار داده­ها و دستورعمل جدید 7-نمایشگر زمان و داده­های ذخیره شده		EasyTube® 2000  پردازش ویفر تا 4 اینچ EasyTube®3000 پردازش ویفر تا 6 اینچ دارای کاربردهای صنعتی			1-حداکثر دمای 900 درجه سانتی­گراد 2-ابعاد جایگاه ویفر 1-200 mm 3-دارای محفظه بارقفل اتوماتیک جهت کاهش انتقال جو 4-سیستم خلا با فشار 10 mTorr 5-سیستم گرمایشی یکنواخت در دو جهت شعاعی و محوری 6-دارای محفظه انتقال خلا درمحفظه تحت فشار جزئی H2 7- استفاده در رسوب کم فیلم­های سیلیکون و ژرمانیوم
Veeco Instruments Inc	K475i		Veeco’s Propel™ Power GaN MOCVD			www.veeco.com
	1-راکتور صنعتی برای تولیدLED، دیودهای لیزری، ترانزیستورها 2-تولید ویفرهایی لایه نازک با یکنواختی بسیار بالا		1-پردازش ویفرهایی با قطر 6 و 8 اینچی 2-تک ویفره 3-اعمال دمایی یکنواخت در سرتاسر ویفر 4-یکنواختی عالی فیلم­ها 5-کاهش نقص لایه 6-توانایی تولید در حجم زیاد 8-مورد استفاده در صنعت الکترونیک
furnace-tech	CVD (I)		CVD Kejia			www.furnace-tech.com
	1-نرخ گرمایش 300 2-دارای توان دمایی یکنواخت 3-کنترل خودکار PLD 4-دارای زنگ خطر و محافظ در دمای بالا 5-اتاق کشویی برای خنک کردن 6-مورد استفاده در ویفرهای نیمه هادی، سلول­های خورشیدی		1-دارای سیستم خنک کننده سریع 2-ساختار افقی 3-لایه­نشانی یکنواخت 4-مناسب مواد پودری و ویفرهای نیمه هادی 5-حدکثر دما 1400-1600 سانتی گراد 6-دارای عایق فیبری و فن خنک کننده 5-کنترل اتوماتیک PID
	CVD (II)		PECVD
	1-حداکثر درجه حرارت کوره 1600درجه سانتی گراد 2-طول منطقه داغ 300 یا 440 میلی­متر 3-پیکربندی سیستم افقی 4-قطر بیرونی لوله تا 100میلی­متر 5-دو فن خنک کننده 6-کنترل PID 7-مقرون به صرفه 8-مورد استفاده در *پوشاندن فیلم­های نازک * تولید نانوسیم		1-دارای مخزن گاز، پمپ مکانیکی با کیفیت بالا 2-ساختار کم حجم و کم مصرف 3-دو فن خنک کننده حداکثر درجه حرارت 1400-1600 درجه سانتی گراد طول منطقه داغ 440 میلی متر مورد استفاده در *تولید فیلم های نازک *تولید نانو سیم
ULVAC	CC-200/400 CVD/	CME-200E/400 PECVD/			ULGLAZE ETP CVD/		www.ulvac.com
	1-کارکردی اسان و کم حجم 2-پردازش پلاسما با چگالی بالا 3-تمیز کردن محفظه دستگاه توسط پلاسما 4-قابلیت استفاده از بسترهایی با اندازه مختلف 5-مورد استفاده در صنعت *تولید باطری­های خورشیدی *سیستم­های اپتیکی و الکتریکی	1-حداکثر ابعاد زیر لایه 200*200 میلی متر تا 300*300 میلی متر 2-پردازش پلاسما با چگالی بالا 3-تمیز کردن محفظه با پلاسما 4-پشتیبانی از رسوب گذاری در دمای پایین 5- مورد استفاده درصنعت *تولید فیلم­های سیلیسیم			1-پشتیبانی از دمای کم 2-سرعت پوشش دهی بالا 3-مورد استفاده برای *پوشش­دادن خراش­ها *ایجاد مقاومت در برابر سایش و خوردگی *صنعت خودرو سازی(شیشه پلی کربنات خودرو)
AIXTRON	PECVD/ BM Pro			PECVD/ BM NOVO			www.aixtron.com
	1-دارای 10 کانال گازی 2-حدکثر درجه حرارت 1050 درجه سانتی گراد 3-سرعت بالا رفتن دما 300 4-کنترل فرایند به صورت اتوماتیک 5-ابعاد بستر 4و 6و 8 اینچ 6-مورد استفاده در *سنتز گرافن، نانولوله کربنی با کیفیت بالا			1-دارای دیواره سرد(برای پلاسما) 2-دارای سیستم Glove box 3-حداکثر دمای 1050 درجه سانتی گراد 4-دارای 10 کانال گاز و پمپ توربو 5-کنترل فرایند اتوماتیک 6-حداکثر اندازه جایگاه بستر 4 اینچ 5-لایه­نشانی یکنواخت 6-مورد استفاده در *لایه نشانی نانو مواد حساس به صورت یکنواخت
Denton vacuum	Voyager  / PECVD			www.dentonvacuum.com
	1-دارای سیستم کنترل خودکار و دستی 2-مورد استفاده در صنعت *تولید الماس مصنوعی *تولید لنزهای نوری *تولید ویفرهای سیلکونی
Oxford Instruments	Plasma Pro 80 PECVD	Plasma Pro 100 PECVD			Plasma pro 800 PECVD	Plasma pro 1000 PECVD		www.oxinst.com
	1-سیستم کوچک 2-حداکثراندازه ویفر200 میلی­متر 3-کنترل میزان لایه نشانی 4-ارزان قیمت 5-درجه حرارت یکنواخت	1-سنتز لایه­های یکنواخت با کیفیت عالی 2- حداکثر اندازه ویفر200 میلی­متر 3-حداکثر دما 1200 درجه سانتی گراد 4-کنترل رسوب­دهی، نقص­ها 5-ارزان قیمت			1-سیستمی کم حجم 2-کنترل درجه حرارت بستر 3-حداکثر اندازه ویفر 300 میلی­متر	1-توان بالا 2-کیفیت و عملکرد بالا 3-کم هزینه 4-دارای سه اتاقک

جدول (2)

 

 

• بازار داخلی دستگاه رسوب دهی بخار شیمیایی :

 

• لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار به کمک پلاسما (PECVD)
• شرکت پلاسما پروژه پارس:

توان	30 کیلو وات
ابعاد	60*40 سانتی­متر مربع
خلا	تا 0.05 میلی­بار
بیشینه دما	600 درجه سانتی گراد.

از این سیستم در صنایع میکروالکترونیک که نیازمند دقت ابعادی بالا است و پوشش­های مقاوم به سایش و خورندگی بر روی ابزار الات مانند مته و یاطاقان، سنتز نانولوله­های کربنی و نانو الیاف کربنی مورد استفاده قرار می­گیرد]15[. شرکت پلاسما پروژه پارس، با مشخصات فنی زیر در استان البرز این سیستم را تولید می­کند:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

• شرکت دانش پویان ساتیا[19]:

این سیستم در ایجاد پوشش­های ابدوست و اب­گریز در صنایع نساجی، انواع پوشش­های حفاظتی و سنسوری، در زمینه­ی کشاورزی و قطعات الکترونیک تزئیینی، اپتیکی و ضد باکتری در صنایع الکترونیک و اپتیک کاربرد دارد]15[. مشخصات فنی سیستم به شرح زیراست:

 

ولتاژ ورودی	مدل PECVD 200 : 220 ولت-200 وات مدل PECVD500 : 220 ولت-500 وات
ابعاد محفظه	ارتفاع داخلی: 250 میلی متر؛ ارتفاع خارجی :285 میلی متر قطر داخلی: 266 میلی متر، قطر خارجی 274 میلیمتر.  دارای 3 پنجره دید
کاتد	کاتد RF از جنس مس ؛ قطر 90 میلی متر
منبع RF	فرکانس: 13.6 مگا هرتز؛ امپدانس خروجی:50 اهم حداکثر توان خروجی : 500 وات؛  خنک کاری با هوا؛  منبع تغذیه : 220 ولت شهری
سیستم تطبیق امپدانس	فرکانس: 13.6 مگا هرتز؛ توان: 500 وات ؛  تهویه: هوای فشرده کانکتور ورودی: نوع  N مادگی؛ کانکتور خروجی: نوع N مادگی منبع تغذیه: 220 ولت برق شهری

 

• شرکت رشد نانوفناوران[20]:

این شرکت دستگاه PECVD با کاربرد­های همانند تولید نانولوله­های کربنی، تولید ادوات نیمه هادی­ها، جهت ایجاد پوشش­های مقاوم به سایش و خوردگی بر روی ابزار آلات و لایه نشانی مواد مختلف برای ریز ساختار­ها با مشخصات فنی زیر ارائه می­دهد]15[:

 

ابعاد دستگاه	ابعاد دستگاه: ارتفاع 180 در طول 140 در عرض 60 سانتی­متر
تعداد کوره­ها	دارای دو کوره به قطر 80 میلی­متر به طول 80 سانتی­متر
دمای منطقه حرارتی	منطقه حرارتی تا دمای 750 درجه سانتی گراد
سیستم کنترل کننده	نرم افزار کنترل پروسه با قابلیت ذخیره برنامه
کنترل کننده جریان گاز	دارای دو کنترل کننده جریان شار گازهای استیلن و هیدروژن
منبع تغذیه	منبع ولتاژ مستقیم تا 1000 ولت و 100 میلی آمپر
مکان کپسول­های گاز	کابین کپسول­های گاز در درون دستگاه

 

• شرکت پلاسما فناورامین:[21]

این شرکت دستگاه PECVD با کاربردهای رشد نانو لوله­های کربنی و انواع سنسورها و قطعات الکترونیک و اپتیکی، بهبود مقاومت به خوردگی قطعات و پوشش­دهی قالب­های پلاستیک، آلومینیوم و قطعات حساس در صنایع خودرو و هوافضا با مشخصات فنی زیر تولید می­کند ]15[.

مشخصات فنی دستگاه :Lab PECVD

ولتاژ ورودی	سه فاز 380 ولت و 50 هرتز	سیستم خنک کننده اتصالات	ابگرد با چرخه بسته
حداکثر ولتاژ خروجی	800 ولت	سیستم خلا	پمپ دورانی
حداکثر جریان خروجی	10 آمپر	خلا سنج	پیرانی
سیکل کاری	20-80 درصد	سیستم تصفیه خلا	تله سرد با ازت مایع
فرکانس ولتاژ خروجی	2-10 کیلوهرتز	ماده شیمیایی مصرفی	TiCl4
فشار کاری	0.5 – 8 میلی­بار	حجم مخزن ماده شیمیایی (TiCl4 )	1 لیتر
حداکثر خلا	0.08 میلی بار	گاز مصرفی	آرگون،نیتروژن،هیدروژن،متان
سیسم کنترلر	PLC,HMI Unit	کنترل دما	اتوماتیک
ابعاد محفظه	قطر داخلی 40 cm عمق محفظه 60 cm قطر سکو   20 cm	کنترل فشار	دستی
جنس محفظه	فولاد زنگ نزن	کنترل گاز	اتوماتیک، بااستفاده از فلو متر دیجیتالی(MFC)
وضعیت قرارگیری محفظه	افقی، درب جلو	حداکثر دمای قابل  دسترسی	550 درجه سانتی گراد
سیستم گرمایشی بیرونی	گرم کن حلقه­ای، 15 کیلو وات	قابلیت­ها	نیتراسیون و ایجاد پوشش­ها TiN,TiC

 

 

 

 

 

مشخصات فنی دستگاه mini PECVD :

ولتاژ ورودی	سه فاز ولت و 50 هرتز	سیستم خنک کننده	ابگرد با چرخه بسته
حداکثر ولتاژ خروجی	800 ولت	سیستم خلا	پمپ دورانی
حداکثر جریان خروجی	10 آمپر	خلاسنج	پیرانی
سیکل کاری	20-80 درصد	سیستم تصفیه خلا	تله سرد(با ازت مایع)
فرکانس ولتاژ خروجی	2-10 کیلو هرتز	ماده شیمیایی مصرفی	TiCl4
فشار کاری	0.5 -8 میلی­بار	حجم مخزن ماده شیمیایی (TiCl4)	0.5 لیتر
حداکثر  خلا	0.08 میلی­بار	گاز مصرفی	آرگون،نیتروژن،هیدروژن،متان
سیستم کنترلر	PLC,HMI Unit	کنترل دما	اتوماتیک
ابعاد محفظه	قطر داخلی   25 cm عمق محفظه  45 cm قطر سکو  15 cm	کنترل فشار	دستی
جنس محفظه	فولاد زنگ نزن	کنترل گاز	اتوماتیک، با استفاده از فلومتر دیجیتالی (MFC)
وضعیت قرارگیری محفظه	افقی، درب جلو	حداکثردمای قابل دسترسی	900 درجه سانتی گراد
سیستم گرمایشی بیرونی	گرم کن حلقهای، 15کیلو وات	قابلیتها	نیتراسیون وایجاد پوششهای TiN ، TiC

 

• دستگاه رسوب­دهی بخار شیمیایی (CVD) :
• شرکت مهندسی تجهیزات پیشرفته آدیکو[22]:

این شرکت سیستم CVD با کاربرد­هایی همانند سنتز سیلکون اکسید، پوشش­های مقاوم به سایش و خوردگی بر روی ابزار الات، الماس­های ساختگی، قطعات فتوولتاییک و مدار­های مجتمع، پوشش­های فوق نازک، تولید قطعات نیمه­هادی، قطعات اپتیکی و الکترونی و نانو تیوپ­های کربنی با مشخصات فنی زیر ارائه می­دهد ]15[:

 

 

 

 

منطقه	1، 2، 3
راکتور	کوارتز
ابعاد	55
دما ( )	تا 1100
فلومتر	3
ولتاژ	220 ولت
توان	3.5 کیلو وات
ابعاد (cm)	60*60*85

 

 

 

 

 

 

 

• شرکت نانو شرق ابزار توس[23]:

دستگاه CVD قابلیت تولید نانو لوله­های کربنی، تولید نیمه هادی­ها و قطعات فوتوولتاییک، پوشش­های مقاوم به خوردگی، سایش و حرارت، قطعات اپتیک و اپتوالکترونیکی و تولید نانو مواد صفر، یک، دو و سه بعدی را دارد]15[. بامشخصات فنی زیر ارائه می­شود:

مدل­های دستگاه	CVD (لایه نشانی شیمیایی بخار)	R-CVD (لایه نشانی شیمیایی بخار دارای ریل حرکتی)
تعداد ناحیه گرمایی	یک ناحیه	یک، دو، سه ناحیه
سیستم گرمایشی	المنت کاربید سیلسیم	المنت نیکروم
حداکثر دمای نقطه ای	1350 درجه سانتی­گراد	1250 درجه سانتی­گراد
طول ناحیه گرمایش	22 سانتی­متر
قطر تیوپ	5 سانتی­متر
جنس تیوپ	کوارتز، آلومینا و استیل(سفارش مشتری)
پمپ خلا	روتاری، دیفیوژنی، توربومولکولار(سفارش مشتری)
خلاسنج	پیرانی

 

• شرکت نانوابتکار پایدار[24] :

این شرکت دستگاه لایه نشانی بخار (CVD) با کاربردهای تولید لایه­های نازک، نانو لوله­های کربنی، نانو ساختار­های نیمه رسانا و مشخصات فنی زیر را رائه می­دهد]15[:

 

منطقه حرارتی	3 ناحیه
جنس محفظه اصلی دستگاه	کوارتز
قطر محفظه	داخلی: 75 میلی­متر
بیشینه دما	خارجی: 80 میلی­متر
توان دستگاه	6 کیلو وات
برق ورودی	3 فاز

 

 

 

 

 

 

 

 

 

• خلاصه مدیریتی:

روش رسوب­دهی بخار شیمیایی در دماهای بالا و فشار پایین انجام می­گیرد. سه مرحله اصلی این روش­ها عبارتند از واکنش سطحی، نفوذ، واجذب است. CVD براساس نوع منبع گرمایی، دما و فشار اتاقک به چندین روش تقسیم می­شود. هر یک از این روش­ها براساس هزینه مورد نیاز، یکنواختی پوشش، قابلیت ایجاد لایه، کنترل مشخصه لایه نازک، تولید می­شود و دارای مزایا و معایب هستند. امروزه با رشد فناوری نانو و تولید نانو مواد­ها و استفاده از آن­ها در صنعت، صنعت­گران به رقابت در تولید سیستم­های تولیدی نانو مواد در تولید انبوه می­پردازند. خوشبختانه کشور ما در این صنعت رو به پیشرفت است.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

• مراجع:

 

[1] Handbook of chemical vapor deposition (CVD) principles, technology, and applications,

[2] Handbook of chemical vapor deposition (CVD) principles, technology, and applications,

[3] C. Jones, Chemical Vapour Deposition: Precursors, Processes and Applications.

[4] مبینا کلهریان، معصومه قاسمی نژاد مقاله، مکانیسم رسوب دهی بخار شیمیایی؛

[5] Ch. .Bhattacharjee and A. Nath, Review article Chemical vapour deposition (CVD) technique and the synthesis of carbon nano materials (CVMs).

[6] M. Kumar and Y. Ando, Review article Chemical vapour deposition of carbon nano tubes: a review in growth mechanism and mass production.

[7] http://www.appliedmaterials.com/product-library/listing

[8] www.cvdequipment.com

[9] www.veeco.com/products/nexus-cvd-chemical-vapor-deposition-system

[10] www.furnace-tech.com

[11] www.ulvac.com/systems/CVD/CVDSinglesubstrate/CVDCC

[12] www.aixtron.com/de/innovation/technologien/mocvd

[13] www.dentonvacuum.com/products-technologies/pe-cvd/

[14] plasma.oxinst.com/campaigns/technology/pecvd

[15] http://nano.ir/page/1/2371

 

[1] chemical vaper deposition

[2] Metal organic chemical vapor deposition

[3] Atmospheric pressure Chemical vapor deposition

[4] Low pressure Chemical vapor deposition

[5] Ultra-High Vacuum Chemical vapor deposition

[6] Plasma Chemical vapor deposition

[7] Atomic layer Chemical vapor deposition

[8] Photon Chemical vapor deposition

[9] www.appliedmaterials.com

[10] Organic Light Emitting Diode

[11] www.cvdequipment.com

[12] anti-reflection

[13] www.veeco.com

[14] www.furnace-tech.com

[15]www.ulvac.com

[16] www.aixtron.com

[17] www.dentonvacuum.com

[18] www.oxinst.com

[19] www.satiaco.com

[20] www.mfco.ir

[21] www.plasmafanavar.com

[22] www.adeeco.ir

[23] www.nanosatco.com

[24] sanaterooz@yahoo.com

———————————————————————

تهیه و تنظیم:

•  گروه صنعتی کاربردهای فناوری نانو در صنعت برق و انرژی

بخش ترویج صنعتی ستاد توسعه فناوری های نانو و میکرو

 ====================================================================================

[جهت دسترسی به گزارش نهایی محصولات و شرکتهای دارای گواهی نانومقیاس ستاد توسعه فناوریهای نانو و میکرو به «کتب مرجع محصولات و تجهیزات نانو و صنعت» به نشانی (INDnano.ir/category/book) مراجعه کنید]

[همچنین برای دانلود فایل PDF کلیه گزارشات بهمراه جزئیات، به بخش گزارش های صنعتی پایگاه اینترنتی رسانه تخصصی نانو و صنعت (www.INDnano.ir/category/report) مراجعه نمایید]

 ====================================================================================