مروی بر کاربردها و فناوریهای به روز دستگاه رسوب بخار فیزیکی (PVD)

 

 

  • معرفی روش رسوب­دهی بخار فیزیکی:

رسوب بخار فیزیکی[1] طیف وسیعی از روش­های پوشش­دهی در خلا را شامل می­شود، که در تمامی این روش­ها لایه توسط متراکم کردن مواد تبخیر شده روی زیرلایه انجام می­شود. به طور کلی عبارت رسوب­دهی بخار فیزیکی (PVD) برای رسوب دادن فلزات در خلا و بدون انجام واکنش شیمیایی استفاده می­شود. از این فرایند برای لایه­نشانی فلزات خالص، آلیاژها، ترکیبات و سرامیک­ها بر روی انواع مختلف زیرلایه­ها مانند فلز، شیشه یا پلاستیک استفاده می­شود. سرعت تشکیل پوشش در این روش حدودا 50 میکرون در دقیقه می­باشد. امروزه این روش کاربردهای زیادی تقریبا در تمام زمینه­های صنعتی و تکنولوژی پیدا کرده است و بسته به نوع فرایند لایه نشانی، باعث ایجاد و بهبود خواص متفاوتی مانند خواص الکتریکی، نوری و مکانیکی می­شود. از پارامتر­های تاثیرگذار در لایه نهایی ایجاد شده می­توان به نوع ماده رسوب کننده، ترکیب شیمیایی و مورفولوژی سطح زیر لایه و فرایند آماده­سازی سطح اشاره کرد]1[.

  • چگونگی لایه­­­نشانی دستگاه رسوب­دهی بخار فیزیکی:

چگونگی­ لایه­نشانی بخار فیزیکی تحت شرایط خلا بدین صورت است، که ابتدا اتم­های ماده­ی هدف توسط پرتوهای الکترونی از سطح کنده و تبخیر می­شوند. سپس اتم­های تبخیر شده به سمت زیرلایه­ای که لایه­نشانی خواهد شد، حرکت می­کنند. در پایان لایه­ای از اتم­های هدف بر روی زیرلایه (ماده پوشش شونده) می­نشیند و لایه­نشانی صورت می‌گیرد. (ممکن است برخی واکنش­های شیمیایی بین ماده هدف و زیرلایه صورت گیرد)]2[.

  • روش­های ایجاد پوشش­های PVD [3]:

همانطور که در بالا هم اشاره شد اولین گام در لایه­­نشانی، تبخیر مواد اولیه می­باشد. بسته به اینکه از چه روشی برای لایه­نشانی استفاده شود، مبنای شکل­گیری انواع مختلف PVD می­باشد که در زیر معرفی شده­اند:

  • رسوب­دهی از طریق تبخیر سطحی[2]
  • کندوپاش[3]
  • پوشش­دهی یونی[4]

 

 

1-رسوب­دهی ازطریق تبخیرسطحی:

برای ایجاد پوشش­هایی با کیفیت بالا، از روش لایه­نشانی در محیط خلا می­توان استفاده کرد از جمله این روش­ها تبخیر حرارتی است. این روش لایه­نشانی یکی از رایج­ترین انواع لایه نشانی­ها در ساخت لایه­های نازک به شمار می­رود. در روش تبخیر حرارتی از یک منبع بخار و یک زیرلایه در محفظه خلا استفاده می­شود. محفظه تا فشاری به طور میانگین،Torr    تخلیه می­شود. ماده­ای که قرار است پوشش داده شود به روش­های مختلف (منابع بخار) تبخیر شده و اتم­های بخار مستقیم به سمت زیر لایه حرکت می­کند و در انتها بر روی آن متراکم می­گردد. انرژی جنبشی اتم‌های فرودی، دمای زیرلایه، نرخ لایه­نشانی، انرژی که در هنگام رشد لایه به آن اعمال می‌شود، حضور و اثر شارش گازها در هنگام انتقال ماده تبخیر شده از منبع به زیرلایه، پارامترهایی هستند که بر ویژگی‌های فیزیکی و شیمیایی لایه نازک مورد نظر مؤثرند. با تغییر و کنترل پارامترهای ذکر شده می‌توان لایه نازکی را که قدرت مکانیکی، چسبندگی، بازتاب نوری، مقاومت الکتریکی، ویژگی‌های مغناطیسی و چگالی متفاوتی داشته باشد را ساخت.

از جمله مزایا و معایب این روش لایه­نشانی تبخیر تحت خلا می­توان به موارد زیر اشاره کرد:

 

شکل (1) روش رسوب­دهی بخار فیزیکی از طریق تبخیر سطحی

 

  • مزایا: 1- سرعت پوشش­دهی بالا 2- خلوص شیمیایی بالا 3- چسبندگی خوب میان لایه نازک و زیر لایه 4- کنترل تنش مکانیکی لایه، 5- ساخت لایه­های بسیار نازک و چند لایه­هایی از مواد مختلف 6- رنگ زیبای حاصل از اکثر پوشش‌ها، امکان استفاده از آن­ها را در قطعات لوکس و دکوری نیز فراهم نموده است 7- در مقایسه با افزایش طول عمر و کیفیت بالای پوشش، هزینه آن منطقی و حتی پایین ارزیابی می‌شود.
  • معایب: 1- عدم کاربرد برای مواد با نقطه ذوب بالا (سرامیک­ها) 2- به دلیل سنتز در دمای پایین در مقایسه با سایر روش­ها، انرژی جنبشی برای ایجاد چسبندگی مناسب بین زیرلایه و لایه نازک کافی نیست.

 

  • روش­های ایجاد بخار:
  • مقاومتی : این روش یکی از ساده­ترین روش­های ایجاد بخار در میان روش­های تبخیر حرارتی در محیط خلا است. در این روش با اعمال جریان الکتریکی (مقاومت الکتریکی) در قایقکی فلزی که ماده هدف در آن قرار دارد، دمای قایقک افزایش می­یابد در نتیجه می­توان ماده هدف داخل قایقک را تبخیر کند.
  • القایی الکتریکی: این روش از ثبات دمای محیط آزمایش و کاهش مزاحمت­های شیمیایی برخوردار است بنابراین روشی حساس­تر با حد تشخیص بهتر و تکرار پذیری بالاتری نسبت به روش­های دیگر است. در این روش جریان الکتریکی القا شده توسط میدان مغناطیسی ایجاد حرارت می­کند (جریان­های گردابی[5] را در فلز (قایقک و ماده هدف) القا می­کند) که این باعث افزایش دمای ماده هدف درون قایقک و ذوب آن می­شود.
  • پرتو الکترون: در این روش از پرتوهای الکترونی پر انرژی متمرکز شده برای ایجاد چگالی توان بسیار بالا بر روی سطح ماده هدف استفاده می­شود، (یک ولتاژ بالا، برای شتاب دادن به الکترون­ها استفاده می­شود) بدین وسیله تبخیر یا ذوب آنی ماده هدف را سبب می­شود.
  • قوس اکتریکی: در این روش یک قوس الکتریکی ( که حالتی از تخلیه الکتریکی در محیط­هایی با شکاف هوایی باریک و اختلاف پتانسیل و شدت جریان زیاد است) با قدرت بالا در ماده هدف تخلیه شده، آن­ها را به صورت بخار یونیزه می­کند تا بر روی قطعه کار قرار گیرد.
  • لیزری: در این روش پرتو لیزر با قدرت بالا با عبور از پنجره­ی محفظه خلا(عدم نیاز به خلا بالا) و برخورد با سطح هدف باعث کنده شدن اتم­های آن شده (تبخیر ماده هدف)، سپس اتم­ها با انرژی زیاد به سطح زیرلایه برخورد کرده و لایه­نشانی صورت می­گیرد.

شکل (2) طرحواره محفظه خلا برای ساخت لایه نازک به روش تبخیر حرارتی (منبع بخار مقاومت الکتریکی)

 

  • کاربرد­ها:
  • کاربردهای اپتیکی: ساخت لیزر­هایی از جنس SiO2
  • ایجاد پوشش­های باندی
  • ایجاد لایه فلزی از جنس Ni, Fe ,Al  و Co بر روی اشیای فلزی و پلاستیکی
  • ایجاد عایق­های حرارتی[6] از جنس ZrO2
  • تولید پوشش­های ضد خوردگی
  • صنعت بسته­بندی
  • ساخت لایه­های نازک سخت و مقاوم
  • ساخت لایه­های نازک کنترل کننده حرارت
  • ساخت رساناهای شفاف
  • دکوراسیون و پوشش­های تزئیینی
  • ساخت رساناهای شفاف ]3،4[.

 

             2- روش کندوپاش:

در این روش یک نمونه از ماده پوشش و زیرلایه در محفظه خلا قرار می­گیرد. محفظه تا فشارTorr  و یا کمتر تخلیه می­شود و سپس یک گاز خنثی معمولا آرگون به داخل آن به نحوی فرستاده شده تا فشار تا حد    یا بیشتر افزایش دهد. در این روش ماده هدف را به یک ولتاژ منفی متصل می­کنند (نقش کاتد) که اعمال این ولتاژ تخلیه شدید الکتریکی (پلاسما) را موجب می­شود؛ سپس با بمباران و برخورد ذرات پرانرژی (یون­های موجود پلاسما) به سطح منبع، اتم­ها یا مولکول­های آن از سطح جدا شده و به سمت زیرلایه حرکت می­کنند. سپس با فرایند تراکم، هسته­زایی و رشد، لایه نازکی را روی سطح تشکیل می­دهند. ازجمله مزایا و معایب این روش می­توان به موارد زیر اشاره کرد:

شکل (3) طرحواره روش کندوپاش

 

  • مزایا: 1- یکنواختی پوشش 2- آسیب تابشی کمتر از تبخیر 3- سهولت رسوب آلیاژ
  • معایب: 1- آسیب­های ناشی از پلاسما (گاز آرگون)

 

  • کاربرد:
  • تولید پوشش­های آلیاژی
  • تولید پوشش­های ترکیبی
  • چسبندگی بهتر و آلودگی کمتر ( نسبت به روش تبخیری)
  • افزایش انرژی مصرفی نسبت به روش­های تبخیری

 

  • انواع روش­های پراکنشی :
  • پراکنشی دو قطبی (دو الکترودی)
  • پراکنشی سه قطبی (سه الکترودی)
  • پراکنشی مگنترونی[7]]3،4[

جدول زیر به مقایسه کلی روش تبخیری و کندوپاش می­پردازد]4[:

جدول (1) مقایسه روش تبخیری و کندوپاش

تبخیر کندوپاش
نرخ هزار لایه اتمی بر ثانیه یک لایه اتمی بر ثانیه
انتخاب ماده محدود تقریبا نامحدود
خلوص بهتر(عدم وجود هیچ گازی، خلا بالا) امکان شرکت ناخالصی (خلا متوسط)
گرمایش زیر لایه خیلی کم در حالت استفاده از مگنترون، گرمایش زیر­لایه قابل توجه است.
آسیب سطحی خیلی کم، امکان آسیب سطح با استفاده از پرتو الکترونی و اشعه ایکس آسیب سطح با بمباران یونی
تمیز­کردن درجا امکان پذیر نیست بسیار آسان با استفاده از اچ کردن در کندوپاش
عنصر­سنجی[8] ­و ترکیب آلیاژی   غیر قابل کنترل ترکیب آلیاژ به شدت قابل کنترل است
آسیب با اشعه ایکس فقط در حالت استفاده از پرتو الکترونی امکان آسیب تابشی
تغییر در مواد منبع آسان پرهزینه
تجزیه مواد زیاد مناسب و خوب
امکان صنعتی شدن دشوار است در مساحت­های بزرگ آسان است
یکنواختی دشوار است پرهزینه
تجهیزات مورد استفاده کم­هزینه تعداد زیادی رسوب بر هر زیرلایه
تعداد رسوب در هر بار فقط یک رسوب تعداد زیادی رسوب بر هر زیرلایه
کنترل ضخامت دشوار است امکان­پذیر است
چسبندگی به سطح غالبا ضعیف است عالی
پدیده سایه افکنی اتم­ها زیاد کم
کنترل خلوص فیلم (اندازه دانه، پوشش سطوح غیر یکنواخت) دشوار با اعمال بایاس، گرمایش سطح و فشار امکان­پذیر است.

 

3– روش پوشش­دهی یونی:

این روش، به صورت یک فرایند مجزا و مستقل تعریف نمی­شود بلکه روش پوشش­دهی یونی توسعه یافته دو روش قبلی است. اگر پتانسیل منفی زیادی تحت خلا بر روی زیر لایه اعمال گردد، به نحوی که یون­های مثبت پلاسما بمباران شود فرایند به پوشش­دهی یونی مرسوم می­شود. از جمله مزایا و معایب این روش می­توان به موارد زیر اشاره کرد]3[:

  • مزایا: 1- پوشش­دهی قطعات با اشکال پیچیده 2- چسبندگی عالی در دماهای پایین زیرلایه 3- بهبود ساختار و خواص در دماهای پایین 4- یکنواختی بالای پوشش.
  • معایب: 1- مشکل بودن پوشش­دهی موضعی 2- عدم پوشش­دهی سطوح داخلی 3- اتصال نمونه به الکترود با ولتاژ بالا.

 

  • بازار داخلی:

امروزه با توسعه فناوری نانو، صنایع در حوزه ابزار­­الات و ماشین­های تهیه­ی نانو مواد و پوشش­های نانویی رو به پیشرفت گسترده­ای بوده است. طی سال­های اخیر ساخت ماشین­های رسوب­دهی در کشور پیشرفت زیادی داشته است. بنابراین از جمله شرکت­های تولید کننده انواع دستگاه­های رسوب دهی بخار فیزیکی می­توان به موارد زیر اشاره کرد:

 

  • دستگاه لایه­نشانی فیزیکی بخار با فناوری هیبریدی:

این سیستم شامل فناوری­های کندوپاش و تبخیر حرارتی با قوس کاتدی است و برای ساخت پوشش­های مختلف مورد استفاده قرار می­گیرد. این سیستم برای پوشش­دهی لایه­های بسیار سخت، لایه­های فوق سخت و پوشش­های نانو­کامپوزیت شامل TiN،TiAlN ،CrN ،ZrN ،AlCrTiN  و TiAlSiN بر روی ابزارآلات به منظور افزایش عملکرد و عمر کاری آن­ها مورد استفاده قرار می­گرد. از جمله شرکت­های تولید­کننده داخلی می­توان به شرکت مهندسی سطح سوین پلاسما اشاره کرد]5[:

 

  • شرکت مهندسی سطح سوین پلاسما [9]

PVD تولیدی این شرکت دارای مشخصات فنی زیر است]6[.

 

مکانیزم تبخیر و لایه­نشانی لایه­نشانی قوس کاتدی

(قابلیت استفاده از لایه­نشانی هیبریدی همراه با پراکنش مغناطیسی و تبخیر یونی)

تعداد کاتدهای دوار  کاتد (در حالت قوس کاتدی، می­تواند با پراکنشی مغناطیسی DC جایگزین شود)
چشمه تبخیر حرارتی یک چشمه تبخیر حرارتی خطی به همراه 16 بوته تنگستنی
ابعاد محفظه (قطر * ارتفاع) 1200*1000 میلی­متر
ولتاژ بایاس DC (حالت انتخابی پالسی)
ابعاد ناحیه پلاسما (قطر* ارتفاع) 700 * 900 میلی­متر
بیشینه وزن زیرلایه 400                         کیلوگرم

 

 

  • دستگاه لایه­نشانی قوس کاتدی و کندوپاش:

دستگاه لایه­نشانی قوس کاتدی و کندوپاش یک سیستم لایه­نشانی خلا بالا است که قادر به لایه­نشانی رنج وسیعی از مواد با استفاده از قوس کاتدی و یا کندوپاش است. لایه­نشانی تبخیر فیزیکی با قوس کاتدی می­تواند در مدهای DC و یا پالسی انجام شود. از جمله تجهیزات این حوزه، دستگاه لایه­نشانی هارد کوتینگ مدل 800 است که با مشخصات سختی بالا، ضریب اصطکاک پایین و مقاومت به خوردگی، در صنایع قالب­سازی، ابزارسازی و قطعات صنعتی کاربرد دارند. لایه­هایCrN ،TiN ،ZrN ،TiAlN ،AlCrN ،TiCN  از جمله مواردی هستند که با این دستگاه می­توان پوشش­دهی کرد.

کاربرد:

  • پوشش­دهی لایه­های بسیار سخت، لایه­های فوق سخت و پوشش­های نانو کامپوزیت شاملCrN ،ZrN ،AlCrTiN ،TiN ، TiAlN و TiAlSiN
  • پوشش­دهی فیلم­های شبه الماس آمورف کربن با رسوب­دهی یون­های کربن]5[

 

  • شرکت یار نیکان صالح[10]:

شرکت یار نیکان صالح طی یک دهه گذشته به تولید این دستگاه با مشخصات فنی زیر می­پردازد]7[:

 

مدل دستگاه DE600
مکانیزم پوشش­دهی قوس کاتدی
میزان خلا تور
سیستم کنترل HMI+PLC
پمپ خلا پمپ روتاری و پمپ نفوذی DP320
خلاسنج 2 عدد خلاسنج پیرانی

1 عدد خلاسنج کاتد سرد

شیرهای تخلیه دارای دو شیر تخلیه مستقل
شیرهای ورودی و خروجی شیرهای هوادهی، گاز الکتریکی، مستقیم، پشتی و با خلا بالا
محفظه استوانه­ای شکل ساخته شده از فولاد زنگ نزن، با قطر 300 میلی­متر
منبع تغذیه 6 سری منبع تغذیه 200 آمپری برای قوس کاتد منبع تغذیه برای بایاس زیرلایه
شاتر 1عدد
کنترل کننده جریان جرمی 2عدد

 

 

 

  • دستگاه لایه­نشانی تبخیر فیزیکی با قوس کاتدی:

لایه­نشانی تبخیر فیزیکی با قوس کاتدی یک فرآیند صنعتی است که به طور گسترده برای اعمال پوشش­های لایه نازک با کیفیت بالا مورد استفاده قرار می­گیرد. این فرآیند تحت شرایط خلا انجام می­شود. لایه­نشانی تبخیر فیزیکی با قوس کاتدی می­تواند در مدهای DC و یا پالسی انجام شود.

کاربرد:

  • پوشش­دهی لایه­های بسیار سخت، لایه­های فوق سخت و پوشش­های نانو کامپوزیت شامل AlCrTiN ،ZrN ،CrN ،TiAlN ،TiN و TiAlSiN بر روی ابزارآلات به منظور افزایش عملکرد و عمرکاری آن­ها.
  • پوشش­های مقاوم به سایش و خوردگی با تنوع رنگ­های بالا به منظور کاربردهای تزیینی]5[

 

  • شرکت یارنیکان صالح:

شرکت یارنیکان این دستگاه با دومدل  Arc-PVD 2300و Arc-PVD 1600 با مشخصات فنی زیر تولید می­کند]7[:

 

مدل­های دستگاه Arc-PVD 2300 Arc-PVD 1600
تعداد کاتدهای قوس کاتد آرک با هدف 3 اینچی کاتد آرک با هدف 3 اینچی
ابعاد محفظه (قطر * ارتفاع) 1800*2300 میلی­متر 1600*1800میلی­متر
میزان خلا نهایی تور
ولتاژ بایاس زیر­لایه ولتاژ بایاس پالسی
تعداد کنترل کننده جریان جرمی سه کنترل کننده مجزا برای کنترل گازهای فرآیند
سیستم گرمایش قابلیت گرمایش تا دمای 200 درجه سانتی­گراد
رابط کاربری دارای سامانه کنترلی با مانیتور صفحه لمسی تمام رنگی
سایر خصوصیات دارای نگهدارنده نمونه چرخشی با قابلیت تنظیم سرعت چرخش دارای سامانه تمیزکاری با پلاسما

 

 

 

  • شرکت خلا پوشان فلز[11]:

شرکت خلا پوشان فلز دستگاه لایه­نشانی با استفاده از قرس کاتدی مدل NANOCOAT A 180 با مشخصات فنی زیر تولید می­کند]8[:

 

 

مدل دستگاه NANOCOAT A 180
ابعاد هدف 4 اینچ با قابلیت مصرف بهینه هدف
تعداد چشمه­های تبخیر قوس کاتدی 18
سیستم خلا پمپ­های روتاری، روتس و دیفیوژن و پمپ نگه دارنده دیفیوژن جهت جلوگیری از اتلاف انرژی
کنترل کننده جربان جرمی 4 عدد
محفظه محفظه خلا دو جداره
ابعاد محفظه(قطر * ارتفاع) 1800*1600 میلی­متر
سایر خصوصیات دارای سیستم کنترل اتوماتیک مجهز به سیستم گرمگن  زیر لایه مجهز به سیستم ولتاژ بایاس با توان بالا جهت چسبندگی بیشتر لایه مجهز به سیستم تمیزکاری پلاسمایی

 

  • دستگاه لایه­نشانی بخار فیزیکی با فرایند کدوپاش مغناطیسی:

کندوپاش (Sputtering) یک روش لایه­نشانی فیزیکی بخار است که ماده مورد نظر برای ایجاد پوشش توسط بمباران ذرات پر انرژی، مخصوصا یون­های گازی روی سطح اعمال می­شود. کندوپاش مغناطیسی یک روش منحصر به فرد برای تولید دسته وسیعی از پوشش­های هادی روی زیرلایه­های مختلف است. این دستگاه، دارای سه مدلS1  (تک کاتد)، S3T4BR (سه کاتد) و S7P (هفت کاتد) است.

برخی از کاربرد­­های این دستگاه عبارتند از:

  • لایه نشانی­های رسانا در تصویربرداری­های با وضوح بالا برای میکروسکوپ­های الکترونی روبشی و عبوری
  • پوشش­های هادی بر روی نمونه­های در مقیاس بزرگ (ویفرها، دیسک­های فشرده و …)
  • ایجاد لایه­های فلزی با استفاده از آلومینیم، کروم، کبالت، مس، طلا، نقره، پلاتین، مولیبدن و تیتانیم برای فرآیندهای آزمایشگاهی و صنعتی]5[

 

  • شرکت سامانه تجهیزات دانش[12]:

یکی از تولیدکننده­های داخلی سیستم کندوپاش مغناطیسی در ایران شرکت سامانه تجهیزات دانش است، برخی از مشخصات فنی این دستگاه در جدول زیر آمده­است]9[:

تعداد کاتد سه کاتد 2 یا 4 اینچ بسته به سفارش
پمپ خلا بالا: پمپ توربومولکولار
سیستم ایجاد خلا (خلا بالا) سیستم استاندارد بکینگ و رافینگ با استفاده از 3 شیر خلا بالا برقی
خلا متوسط میلی­بار
میزان خلا حرکت خطی به صورت مستقل
جابجایی هدف حرکت خطی
جابجایی نمونه­گیر گرم شدن و دوران نمونه­گیر
توان 1000 وات
برق ورودی 3 فاز، جریان متناوب، 230 ولت

 

  • دستگاه لایه­نشانی چند منظوره در خلا:

لایه­نشانی فیزیکی بخار، خانواده بزرگی از روش­های لایه­نشانی در خلا است. تکنیک­های لایه نشانی PVD نیاز به یک چمبر خلا بالا  تا  میلی­بار دارد تا فرآیندهای لایه نشانی در داخل آن انجام شود. امروزه پوشش­های متفاوتی به کمک فرآیندهای PVD تهیه می­شود که برخی از آن ها عبارتند از:

CrCN ،CrN ،TiCN ،TiN ،ZrCN  و CrN می­شود.

کاربرد این دستگاه شامل موارد زیر می­باشد:

  • پوشش­های فلزی
  • پوشش­های اکسیدی و نیتریدی
  • ترکیبات مشابه
  • فیلم­های شفاف هادی

 

  • شرکت خلا پوشان فلز:

از جمله مشخصات فنی دستگاه لایه نشانی بخار فیزیکی در خلا تولید شرکت خلا پوشان فلز در جدول زیر امده­است]8[:

مدل دستگاه Lab Coat 10
چمبر 2جداره از جنس فولاد زنگ نزن با درب جلو جهت کاربری آسان مجهز به درب و سیستم خود قفل شونده
فشار خلا  5  تور
سیستم خلا شامل پمپ روتاری و دیفیوژن (به همراه سایر متعلقات خلا بالا گیج پیرانی، گیج پنینگ، شیرهای خلا و …)
کندوپاش مغناطیسی 2 اینچی آب خنک با نصب آسان ساخت شرکت خلاپوشان فلز
منبع تغذیه 700 وات DC ساخت شرکت خلا پوشان
شاتر شاتر خودکار روی چشمه کندوپاش مغناطیسی
نگهدارنده نمونه سیستم نگهدارنده نمونه چرخان
سیستم کنترل سیستم کنترل مرکزی PLC به همراه کلیه حفاظت­ها و دریافت­گرهای لازم
ویژگی­ها سیستم نمایشگر لمسی با امکان ذخیره و بازیابی اطلاعات، پورت­های اضافی جهت نصب سیستم­های مختلف در سقف و کف چمبر، امکان نصب گرمکن زیرلایه، امکان نصب دریافت­گر، ضخامت سنج کریستالی، امکان نصب سیستم چرخان سیاره­ای، امکان نصب انواع چشمه­های تبخیر و اتصال آن به سیستم کنترل مرکزی

 

  • دستگاه لایه­نشانی بخار فیزیکی با استفاده از پرتو الکترونی[13]:

تبخیر به کمک باریکه الکترونی، یکی از روش­های لایه نشانی بخار فیزیکی است. این روش دارای نرخ رسوب­دهی قابل ملاحظه بوده ( 1/ 0 تا100 نانومتر بر دقیقه) که می­تواند پوشش­های متراکم با قابلیت چسبندگی بالا به زیرلایه ایجاد کند.

کاربرد:

  • تبخیر موادی که با استفاده از روش­های استاندارد نمی­توانند پردازش شوند (مواد با نقطه ذوب بالا)
  • لایه­نشانی طیف وسیعی از لایه­های نازک از مواد با نقطه ذوب بالا]5[
  • شرکت خلا پوشان فلز:

از جمله تولیدات این شرکت می­توان به دستگاه لایه­نشانی فیزیکی پرتو الکترونی با مشخصات فنی زیر اشاره کرد]8[:

مدل دستگاه KEB 50
منبع تبخیر تفنگ الکترونی به همراه کلیه متعلقات و منابع تغذیه
سیستم خلا پمپ روتاری دو مرحله­ای 65 متر مکعب در ساعت و پمپ توربومولکولار
محفظه خلا محفظه خلا دو جداره آبگرد از جنس فولاد زنگ نزن
ابعاد محفظه 700×700×700 میلی­متر
کنترل پنل صفحه لمسی 10 اینچی
سایر خصوصیات مجهز به نگهدارنده چرخان زیرلایه و بوته مسی آبگرد، کنترل سیستم به صورت تمام اتوماتیک، توسط کنترلر مرکزی به همراه حفاظت­های لازم امکان ذخیره و بازیابی کلیه اطلاعات لازم در چرخه‌های کاری

 

  • دستگاه لایه­نشانی بخار فیزیکی با روش تبخیر حرارتی:

این روش لایه­نشانی یکی از رایج­ترین انواع لایه­نشانی­ها در ساخت لایه­های نازک به شمار می­رود. لایه­نشانی به روش تبخیر حرارتی فرآیندی است که در محیط خلا و به کمک اعمال جریان الکتریکی برای تبخیر ماده منبع صورت می­گیرد]5[.

کاربرد:

  • ساخت لایه­های نازک رسانای الکتریسیته
  • ساخت پوشش­های چندلایه
  • لایه­نشانی از فلزات، سرامیک­ها و نیمه رساناها

 

 

 

 

 

  • شرکت پوشش های نانو ساختار[14]:

از جمله فعالیت­های این شرکت در زمینه­ی تولید دستگاه لایه­نشانی بخار فیزیکی با روش تبخیر حرارتی مدل DTT و با مشخصات فنی زیر است]10[:

مدل دستگاه DTT
پمپ خلا پمپ توربوملکولار، ظرفیت 60 لیتر بر ثانیه پمپ پشتیبان دیافراگمی
میزان خلا  نهایی کمتر از    2 تور
محفظه استوانه­ای از جنس پیرکس
ابعاد محفظه (قطر داخلی * ارتفاع) 300 * 200 میلی­متر
منبع تغذیه 100-0 ،DC آمپر، 5/ 2 کیلو وات
چشمه تبخیر دارای قابلیت نصب سه منبع تبخیر مستقل
دمای سیستم گرمایشی زیرلایه ماکزیمم 500 درجه سانتی­گراد
ابعاد 50×50×55 سانتی­متر
سایر خصوصیات نگهدارنده نمونه چرخشی صفحه نمایش لمسی 7 اینچی مجهز به ضخامت سنج بلوری، قابلیت ورود سریع داده­ها با استفاده از کنترل لمسی و تمام خودکار

 

  • شرکت پوشش­های نانو­ساختار:

این شرکت دستگاه لایه­نشانی کربن رو میزی که یک نوع دستگاه شبیه به روش تبخیر حرارتی در خلا است و به صورت خاص و ویژه برای آماده­سازی نمونه­های میکروسکوپ الکترونی روبشی و عبوری (نمونه­های عایق) استفاده می­شود را تولید می­کند. این روش برای تصویرسازی­های با تفکیک بالا مناسب است. استفاده از لایه­های کربنی در میکروسکوپ الکترونی به دلیل سیگنال کم و هدایت الکتریکی نسبتا خوب بسیار شناخته شده است. دستگاه پوشش­دهی کربن در دو مدل DCR و DCT ساخته شده است که این دو دستگاه در نوع پمپ و میزان خلاء باهم تفاوت دارند]5[

کاربرد: آماده­سازی نمونه­های میکروسکوپی الکترونی  SEM و   TEM

از جمله مشخصات فنی این دستگاه می­توان به موارد زیر اشاره کرد]10[:

چمبر خلا شیشه پیرکس، ضخامت 275 / 0، قطر 6 و ارتفاع 6 اینچ
فشار نهایی خلا پمپ روتاری  DCT/ DCR   تور/ 30 میلی­تور
منبع تغذیه جریان مستقیم ، 5/ 2 کیلووات
فشار­کاری 50 تا 70 میلی­تور
بازه گیج وکیوم 1 اتمسفر تا  میلی­تور
بازه جریان لایه­نشانی تا 100 امپر
کنترل جریان آرگون شیر سوزنی
مشخصات برق ورودی 220 ولت، جریان متناوب، 11 امپر
سامانه کنترلی صفحه نمایش 7 اینچ
وزن (بدون پمپ) 18 کیلوگرم
ابعاد دستگاه 500×450×400 میلی­متر مکعب

 

 

 

  • دستگاه لایه نشانی بخار فیزیکی به روش کندو پاش رومیزی:

دستگاه لایه­­نشانی کندوپاش رو­میزی ابزاری منحصربه فرد برای تولید طیف وسیعی از لایه­های نازک بر روی زیرلایه­های مختلف است. کندوپاش یک روش لایه­نشانی تبخیری غیر حرارتی است که به طور گسترده برای لایه نشانی پوشش­های رسانا و غیررسانا بر روی زیرلایه­های مختلف استفاده می­شود.

کاربردها:

  • ساخت انواع حسگر­های لایه نازک و سلول­های خورشیدی
  • ساخت ادوات اپتیکی، نانو الکترونیک و میکروالکترونیک
  • آماده سازی نمونه­های میکروسکوپ الکترونی]5[

 

  • شرکت پوشش­های نانو ساختار:

شرکت پوشش­های نانو ساختار با مشخصات فنی زیر سیستم کندوپاش رومیزی را تولید می­کند]10[ :

 

مدل­های دستگاه DSR1 DST1 DST2-T DST3
منبع کندوپاش یک کاتد 2 اینچی یک کاتد 4 اینچی دو کاتد 2 اینچی سه کاتد 2 اینچی
منبع تبخیر حرارتی ×
پمپ خلا روتاری × × ×
پمپ خلا توربوملکولار × با ظرفیت 60 لیتر بر ثانیه با ظرفیت300 لیتر بر ثانیه با ظرفیت 300 لیتر بر ثانیه
پمپ پشتیبان دیافراگمی ×
میزان خلا نهایی     تور  9  تور   تور 2  تور
منبع تغذیه DC، 80 وات RF، 300 وات DC،1000 میلی امپر DC ، 1000  میلی امپر
ابعاد (سانتی­متر) 45×50×37 50×65×51 50×60×47 50×60×47
ابعاد محفظه (قطر داخلی * ارتفاع) 140 *170 میلی­متر 300 *200 میلی­متر
محفظه از جنس شیشه پیرکس
سایر خصوصیات تنظیم فشار داخل محفظه توسط شیر سوزنی نگهدارانده زیرلایه با قابلیت چرخش صفحه نمایش لمسی

 

 

 

  • دستگاه لایه­نشانی ترکیبی به کمک لیزر پالسی و تبخیر حرارتی:

لایه­نشانی پالسی لیزری[15](PLD)  یکی از روش­های لایه­نشانی فیزیکی بخار است که از تحریک گرمایی برای تبخیر، انتقال و نشست اتم­های هدف بر روی زیرلایه استفاده می­کند]5[.

کاربرد این دستگاه شامل موارد زیر می­شود:

  • لایه­نشانی پالسی لیزریPLD) ) یکی از مناسب­ترین روش­ها برای ایجاد ساختارهای ناهمگن
  • اکسیدی پیچیده، ابرشبکه­ها و سطوح مشترک کنترل شده است.
  • صنایع الکترونیک (دریافت­گرها)، فیلم­های لایه نازک ابرهادی­ها، نیمه­رساناها، ترانزیستورها
  • ساخت دیودها سیستم­های میکروالکترومکانیکی (MEMS)
  • لایه­نشانی PMMA پیش از لیتوگرافی
  • ساخت حسگرهای شیمیایی

 

  • شرکت پوشش­های نانو ساختار:

یکی­دیگر از ساخته­های شرکت پوشش­های نانو ساختار، تولید دستگاه لایه­نشانی ترکیبی به کمک لیزر پالسی و تبخیر حرارتی مدل PLD-T با مشخصات فنی زیر است]10[:

 

مدل دستگاه PLD-T
پمپ خلا پمپ توربوملکولار، ظرفیت300 لیتر بر ثانیه، پمپ پشتیبان دیافراگمی
میزان خلا نهایی کمتر از 2 تور
منبع تغذیه منبع تغذیه ولتاژ بالا، 5/ 2 کیلو وات
محفظه محفظه استوانه­ای از جنس فولاد زنگ نزن، مجهز به چهار پنجره 2 اینچی
ابعاد محفظه (قطر داخلی در ارتفاع) 200×300 میلی­متر
زاویه برخورد پرتو لیزر از 45 تا 90 درجه
اهرم نگهدارنده هدف 1 تا 6 هدف قابل چرخش
بیشینه اندازه زیرلایه 2 اینچ
دمای سیستم گرمایش زیرلایه ماکزیمم 500 درجه سانتی­گراد
یکنواختی ضخامت فیلم ±3 درصد از 90 ٪ یک زیرلایه به قطر 2 اینچ
سایر خصوصیات نگهدارنده نمونه چرخشی صفحه نمایش لمسی 7 اینچی، مجهز به ضخامت سنج کریستالی قابلیت ورود سریع داده­ها با استفاده از کنترل لمسی و تمام خودکار نگهدارنده و چرخاننده هدف­ها با قابلیت تنظیم سرعت چرخش

 

 

 

 

 

  • بازار خارجی:

با توسعه فناوری نانو و صنعتی شدن آن در کشورهای پیشرفته جهان، صنایع به دنبال ساخت دستگاه­هایی پیشرفته  و با چند کارایی متفاوت هستند. از بین روش­های مختلف رسوب­دهی بخار فیزیکی با توجه به تقاضای مشتری، روش یونی تولید بیشتری دارد. در ادامه به بررسی تولیدات دستگاه­های رسوب­دهی بخار فیزیکی پیشرفته خارجی می­پردازیم:

 

  • شرکت [16]Veeco Instruments Inc:
  • NEXUS PVDi Physical Vapor Deposition System :

سیستم  NEXUS PVDi Physical Vapor Deposition System  دارای حداکثر انعطاف­پذیری برای طیف گسترده­ای از لایه­نشانی­ها، با جایگاه زیر­لایه 200 میلی­متر است و از چند لایه شدن و غیریکنواختی لایه­ها جلوگیری می­کند. از جمله ویژگی­های این دستگاه می­توان به موارد زیر اشاره کرد]11[.

  • ایجاد لایه­های یکنواخت و غیر قابل نفوذ در نتیجه افزایش تولید در صنعت
  • کاهش هزینه مالکیت
  • این شرکت با طیف گسترده­ای رسوب پرتو یون، اچ پرتو یونی و رسوب لایه اتمی را ارائه می­دهد.

شکل (4) سیستمNEXUS PVDi

 

  • NEXUS PVD-1 Physical Vapor Deposition System:

سیستم NEXUS PVD-1 با کارایی ساده، ویفر­هایی با اندازه­های متفاوت (شعاع 3-8 سانتی­متر) را پشیتبانی می­کند و یک ابزار با کارایی بالا و مقرون به صرفه برای کاربردهای نیمه­هادی مانند GaAs است. همچنین با برنامه­های مختلف ذخیره سازی داده برای لایه­نشانی موادی مانند رسوب‌های اکسید و نیترید و مواد مغناطیسی و تولیدات خاص گزینه مناسبی است. می­توان رسوب­دهی یونی و سایر ابزارهای رسوب­دهی بخار را به منظور یکپارچه­سازی سریع اچ پرتو یونی در این سیستم طراحی کرد.

شکل (5) سیستم    NEXUS PVD-1

 

  • شرکت Denton Vacuum U.S.A[17]:

 

  • Infinity Ion Beam Deposition System:

سیستم رسوب­دهی پرتو یونی   Infinity Ion Beam Deposition Systemبرای ساخت فیلم­هایی با کیفیت بالا با کاربرد اپتیکی یا اینه­های اشعه ایکس گزینه مناسبی است. یکی از برنامه­های از پیش تنظیم شده آن به نام، end-to-end ion beam deposition (IBD) میزان پایداری سرعت رسوب­دهی را توسط مانتیور نشان می­دهد و باعث کنترل ضخامت و یکنواختی لایه می­شود. این سیستم با نرم­افزار کاربردی آسان دارای منبع یونی دوم برای پاکسازی قبل از تخلیه یونی است]12[.

 

 

شکل (6) سیستم  Infinity Ion Beam Deposition System

 

 

 

  • شرکت [18]Ulvac Inc :

 

  • ENTRON-EX System :

سیستم چند منظوره sputtering Entron-EX به طور خاص برای نیمه­هادی­ها با ابعاد 300 میلی­متر طراحی شده است و دارای ویژگی­های زیر است:

  • محدوده پیکربندی انعطاف­پذیر است.
  • سیستم می­تواند هر دو فرایند PVD و CVD/ALD را اجرا کند.
  • دارای قابلیت انجام فرایند نه تنها برای نیمه­هادی Si بلکه برای همه نوع نیمه رساناهای مرکب است.
  • سیستم تولید بالا با قابلیت اطمینان دارد.
  • مجهز به آخرین سیستم کنترل که با نسل بعدی نیمه­هادی Fab سازگار است]13[.

شکل (7) سیستم Entron-EX

 

  • ENTRON-EX2 W300 :

سیستم کندوپاش چند محفظه جدید­ترین پلت فرم ممکن برای ترکیب فرایند­های مختلف است. دارای ویژگی­های زیر است]13[:

  • محدوده پیکربندی منعطف.
  • قابلیت اجرای هر دو فرایند PVD و CVD/ALD .
  • مقرون به صرفه در انرژی (صرفه­جویی انرژی در مدل فعلی 30 درصد است).
  • مجهز به سیستم کنترل است که با نسل بعدی نیمه­هادی Fab سازگار است.
  • دارای قابلیت انجام فرایند نه تنها برای Siبلکه برای همه نوع نیمه­رساناهای مرکب به کار می­رود.
  • راندمان بالا

شکل (8) سیستمENTRON-EX2 W300

 

 

  • شرکت [19]Sinovac Technology Ltd :  

 

  • STN-20FD30 PVD:

سیستم STN-20FD30 PVD با منبع یونیزاسیون با قدرت 30 تا 45 کیلو­وات، برای محصولات بزرگ با پوشش­دهی وسیع و گستره مانند وسایل تزئینی مناسب است. این سیستم با درجه حرارت پایین، زمان چرخه کوتاه و اندازه قطر داخلی محفظه 1500 تا 1800 میلی­متر و ارتفاع 2000 تا 3500 میلی­متر است. به صورت سیلندری با یک در بالای محفظه و 26 کاتد (منبع یونی قوسی)، همراه با سیستم پمپ خلا و سیستم کنترل PLC & Touch Screen  یا   PLC & PCطراحی شده است]14[.

شکل (9) سیستم STN-20FD30 PVD

 

  • Vacuum Coating Machine (STN-10FD30):

طراحی این سیستم نخستین بار در سال 1998 انجام شد. مدل امروزی آن دارای فناوری­های پیشرفته، عملیات راحتی، صرفه جویی در هزینه، هزینه کم، تولید بالا و بدون آلودگی است و برای ابزارالات در و پنجره، قفل، وسایل اشپزخانه، دوش و غیره مناسب است. این سیستم Ti-Gold یا Zr-Gold با روش یونی پوشش می­دهد. تجهیزات رسوب­دهی بخار فیزیکی یونی این شرکت به بسیاری از کشورها صادر می­شود و خدمات پس از فروش نیز دارد.

سری STN PVD ماشین یون پوششی، عمدتا از قطعات زیر تشکیل تشکیل شده است:

  • محفظه خلا: مجموعه­ای از فولاد ضد زنگ، آب سرد، پوششی دو جداره ( بین لایه یا ژاکتی از خنک کننده اب)
  • پمپاژ واحد: استفاده ترکیبی از پمپ چرخشی+ پایه پمپ، پمپ پمپاژ روغن
  • سیستم چرخشی: ساخته شده از فولاد ضد زنگ، روتاری، چرخشی
  • سیستم خنک کننده آب: ژاکت آب کلی
  • سیستم منبع تغذیه: طراحی پیشرفته، عملکرد پایدار
  • سیستم تغذیه گاز: جریان­سنج گاز با کیفیت بالا، جریان گاز پایدار و دقیق
  • سیستم کنترل: طراحی پیشرفته، با روش دستی و کنترل و خودکار
  • منبع یک قوس: میزان یونیزاسیون بالا، در این رابطه این شرکت چندین اختراع به ثبت رسانده است]14[.

 

شکل (10) سیستم Vacuum Coating Machine (STN-10FD30)

 

جدول (2)، به طور مختصر مشخصات دستگاه­های رسوب­دهی بخار شیمیایی خارجی را شرح می­دهد:

 

 

 

 

جدول (2) خلاصه­ای از دستگاه­های رسوب­دهی بخار شیمیایی موجود در بازار خارجی

نام شرکت مدل­ها و مشخصات تجهیزات تولیدی شرکت خارجی وب سایت
Veeco Instruments Inc NEXUS PVDi NEXUS PVD-1 www.veeco.com

 

1-ابعاد جایگاه ویفر200 mm

2ایجاد لایه یکنواخت، بدون نقص

3- ارزان قیمت

4-توانایی تولید انبوه نمونه

1-ابعاد جایگاه ویفر باقطر300-800 mm

2-کارایی ساده

3-مقرون به صرفه

4-دارای برنامه ذخیره­سازی داده

4-مورد استفاده در

*سنتز نیمه هادی­ها

*لایه نشانی مواد مغناطیسی، نیترید

Denton VacuumU.S.A             Infinity Ion Beam Deposition www.dentonvacuum.com

 

1-دارای برنامه پیش فرض IBD (جهت نمایش میزان پایداری سرعت رسوب­دهی، کنترل ضخامت، یکنواختی لایه)

2-طرز کار آسان

3-دارای دو منبع یونی (جهت پاک­سازی قبل از تخلیه یونی)

Ulvac Inc sputtering  Entron-EX ENTRON EX2 W300 www.ulvac.com

 

1-سیستم چند منظوره (توانایی اجرای هر دو فرایند PVD و CVD/ALD)

2- ابعاد جایگاه ویفر 300 mm

3-محدوده پیکربندی انعطاف­پذیر

4-توانایی تولید انبوه

5-قابلیت انجام فرایند لایه­نشانی همه نوع نیمه­رساناهای مرکب

5-مجهز به اخرین سیستم کنترل، سازگار با نسل بعدیFab

1-سیستم چند محفظه

2-محدوده پیکربندی انعطاف­پذیر

3-مقرون به صرفه (صرفه جویی در انرژی)

4- توانایی اجرای هر دو فرایند PVDو CVD/ALD

5- قابلیت انجام فرایند لایه­نشانی همه نوع نیمه­رساناهای مرکب

6- مجهز به اخرین سیستم کنترل، سازگار با نسل بعدیFab

7-راندمان بالا

Sinovac Technology Ltd (STN-10FD30) PVD STN-20FD30

PVD

www.sinovac.company.weiku.com

 

 

1-هزینه کم

2-توانایی تولید بالا بدون آلودگی

3-مورد استفاده در

ابزارالات در، پنجره، قفل

وسایل اشپزخانه، دوش و…

4-توانایی پوششTi-Gold با روش یونی

1-دارای منبع یونی با قدرت  30-45کیلووات

2-درجه حرارت پایین

3-زمان چرخه فرایند کوتاه

4-قطرداخلی محفظه 1500-1800میلی­متر

ارتفاع 2000-3500میلی­متر

5-دارای26 کاتد منبع یونی)

6-دارای سیستم کنترل

PLC, Touch Screen

7-دارای سیستم پمپ خلا

8-مورد استفاده در پوشش­دهی محصولات بزرگ تزئینی

 

  • خلاصه مدیریتی:

فرایند رسوب­دهی بخار فیزیکی که شامل روش­های تبخیری، کندوپاش و یونی است؛ از رایج­ترین رویکردها تولید لایه نازک به شمار می­رود. هر یک از این روش­ها از جنبه­های مختلف، مزایا و معایبی دارند. از عمده­ترین آن­ها می­توان به بالا بودن نرخ تبخیر، خلوص بالای لایه نازک، آسیب سطحی کم و کم­هزینه بودن تجهیزات در روش تبخیری و قابلیت کنترل ضخامت و خواص فیلم، ترکیب آلیاژ و چسبندگی عالی فیلم به زیرلایه اشاره کرد. مقدار فشار، دما، مشخصات زیرلایه، نوع منبع گرمایی از عوامل مهم و تاثیرگذار بر مشخصه لایه نازک ایجاد شده است. امروزه با رشد فناوری نانو و تولید نانو مواد و لایه­نشانی جهت بهبود مواد و استفاده از آن­ها در صنعت، صنعتگران را به رقابت در تولید سیستم­های تولیدی نانو مواد در تولید انبوه وادار کرده است. خوشبختانه کشور ما در این صنعت رو به پیشرفت است.

 

 

مراجع:

[1] J.Singh and D.E.Wolfe, Review article Nano and macro-structursed component fabrication by electron beam physical vapour deposition ( EB-PVD )

[2] Mattox, Donald M. Handbook of physical vapor deposition (PVD) processing. William Andrew, 2010.

[3] http://dl.iran-mavad.com/pdf95/Physical%20Vapour%20Deposition(PVD)_iran-mavad.com.pdf

[4] http://edu.nano.ir/subject/1052

[5] http://nano.ir/page/1/2371

[6] www.sevinplasma.ir

[7] www.ynsaleh.ir

[8] www.roshd.irost.org

[9] www.samanehtajhiz.com

[10] www.pvd.ir

[11] www.veeco.com

[12] www.dentonvacuum.com

[13] www.ulvac.com

[14] sinovac.company.weiku.com

[1] Physical Vapor Deposition

[2] Evaporation deposition

[3] Sputtering

[4] Ion Plating

[5] Eddy current

[6] Thermal barrier

[7] Magnetron sputtering

[8] Stoichein metron

[9] www.sevinplasma.ir

[10] www.ynsaleh.ir

[11] www.roshd.irost.org

[12] www.samanehtajhiz.com

[13] Electron Beam Evaporation

[14] www.pvd.ir

[15] Pulsed laser deposition

[16]www.veeco.com

[17] www.dentonvacuum.com

[18] www.ulvac.com

[19] sinovac.company.weiku.com

———————————————————————

تهیه و تنظیم:

  •  گروه صنعتی کاربردهای فناوری نانو در صنعت برق و انرژی

بخش ترویج صنعتی ستاد توسعه فناوری های نانو و میکرو

 ====================================================================================

[جهت دسترسی به گزارش نهایی محصولات و شرکتهای دارای گواهی نانومقیاس ستاد توسعه فناوریهای نانو و میکرو به «کتب مرجع محصولات و تجهیزات نانو و صنعت» به نشانی (INDnano.ir/category/book) مراجعه کنید]

[همچنین برای دانلود فایل PDF کلیه گزارشات بهمراه جزئیات، به بخش گزارش های صنعتی پایگاه اینترنتی رسانه تخصصی نانو و صنعت (www.INDnano.ir/category/report) مراجعه نمایید]

 ====================================================================================