افزایش روزافزون نیازهای پردازشی باعث شده که بازار همواره نیاز به تراشههای کارآمدتر با توان پردازشی بالاتر داشته باشد. از همین رو نقشه راه بینالمللی فناوری نیمههادیها تولیدکنندگان را ملزم به افزایش مداوم کارایی مدارهای مجتمع تولیدی خود میکند. اصلیترین راه افزایش توان پردازشی تراشهها نیز بهنوبه خود مستلزم کاهش ابعاد ترانزیستورهاست.
با کاهش مداوم ابعاد ترانزیستور کمکم صنعت الکترونیک وارد عرصه فناوری نانو شده و با چالشها و راهکارهای جدیدی مواجه شد. کاهش ابعاد به مقداری کمتر از 100نانومتر در ابتدا باعث ناکارآمد شدن ساختارهای متداول طراحی و روشهای ساخت ترانزیستورها شد. در ادامه با ابداع روشهای فناوری نانو در الکترونیک ساختارها و روشهای جدیدی ابداع شد که نهتنها چالشهای به وجود آمده را بهخوبی رفع میکرد بلکه باعث بهبود عملکرد ترانزیستورها نیز میشد.
محققان عرصه نانوالکترونیک پیشبینی میکنند، ساختارهایی که در حال حاضر به مدد فناوری نانو بهطور گستردهای در صنعت مدارهای مجتمع به کار میروند در آینده ناکارآمد خواهند شد. بهزودی ترانزیستورها برای حفظ روال رو به رشد توان پردازشی مدارهای مجتمع ناگزیر وارد عرصه زیر 10نانومتر خواهند شد. ساختارهای فعلی علیرغم ویژگیهای مطلوبی که دارند در ابعاد زیر 10نانومتر بهتدریج دچار چالشهای جدیدی خواهند شد. از همین رو دانشمندان نانوالکترونیک به دنبال ساختارها و روشهای جدیدتری هستند که بر این چالشها فائق آیند. این ساختارها هنوز به تولید صنعتی نرسیدهاند، بااینوجود امیدواری زیادی در صنعت مدارهای مجتمع ایجاد نمودهاند.