اچ یونی فعال عمیق برای اچ‌کردن ویفرهای سیلیکونی تک‌کریستال و پلی‌کریستال با استفاده از گازهای فعال در اتمسفر پلاسما القا شده با فرکانس‌های RF (فرکانس رادیویی) استفاده می‌شود. گاز اچ‌کننده وارد محفظه واکنش‌گر می‌شود و توسط یک میدان الکتریکی اعمال شده نظیر RF یونیزه می‌شود. مولکول‌های گازهای فعال سپس به‌صورت انفرادی به سوی سطح زیرلایه شتاب می‌گیرند. این ذرات باردار لایه‌های سطحی ماده را به کمک مکانیزمی آمیخته از برهم‌کُنش‌های مکانیکی و شیمیایی از بین می‌برد، یا به بیان دیگر لایه‌های سطحی را اچ می‌کند. این فرایند اغلب انتخاب‌پذیری بالایی را نسبت به ماده در حال اچ دارد و فرایند اچ هم می‌تواند به‌صورت همسانگرد، ناهمسانگرد و عمودی انجام پذیرد.
