لایه‌نشانی دورانی از جمله روش‌های رایج برای نشاندن لایه‌های نازک و یکنواخت روی یک زیرلایه مسطح است. این فرایند در صنایع میکروالکترونیک و MEMS، به‌ویژه برای لایه‌نشانی ویفرهای سیلیکونی و همچنین فیلترهای اپتیکی، سلول‌های خورشیدی، سنسورها، آشکارسازها و کارهای تزییناتی استفاده می‌شود. در این روش ابتدا زیرلایه روی صفحه دواری که قابلیت چرخش دارد، قرار می‌گیرد و به‌وسیله اعمال خلأ در محل قرار گرفته تثبیت می‌شود. سپس محلولی از ماده پوشش بر مرکز سطح زیرلایه چکانده می‌شود. با چرخش زیرلایه در یک شتاب زاویه‌ای موردنظر و به‌وجودآمدن نیروی گریز‌از‌مرکز، ماده پوشش در تمام سطح زیرلایه پخش می‌شود. در نهایت پس از خشک‌شدن، لایه‌ای از ماده موردنظر روی زیرلایه تشکیل می‌شود. در این روش هرچه سرعت چرخش بالاتر و یا زمان چرخش زیاد باشد، فیلم پوشش حاصل نازک‌تر است. پارامترهایی همچون ماهیت رزین، ویسکوزیته، سرعت خشک‌شدن، درصد مواد جامد، کشش سطحی و پارامترهای انتخاب‌شده برای فرایند چرخش، ضخامت و خواص نهایی لایه‌نازک ایجاد شده را مشخص می‌کند.
