فرایند لایه‌نشانی شیمیایی بخار (CVD) شامل تجزیه و یا واکنش شیمیایی واکنش‌گرهای گازی، فعال شده در یک محیط توسط گرما یا پلاسما، به‌منظور ایجاد یک لایه جامد است. امروزه این روش در برخی حوزه‌ها همچون نیمه‌هادی‌ها و دیگر فرایندهای تولید قطعات الکترونیکی، پوشش‌دهی روی ابزارها، یاتاقان‌ها و دیگر قطعات مقاوم به سایش، محصولات نوری و الکتروفوتونیکی منحصربه‌فرد است. لایه‌های ایجاد‌شده در این روش می‌تواند به‌صورت آمورف، چند‌بلوری و یا تک‌بلور باشد. از مهم‌ترین عواملی که روی کیفیت لایه ایجاد‌شده تأثیر می‌گذارد، می‌توان به مواردی از قبیل دمای زیرلایه، غلظت مواد واکنش، فشار گاز و آهنگ جریان گاز اشاره کرد.
یک دستگاه لایه‌نشانی شیمیایی بخار شامل سیستم انتقال گاز، محفظه واکنش، مکانیزم قراردهی زیرلایه و ویفر، منبع انرژی، سیستم خلأ و سیستم خروجی می‌شود. اساس فرایند بدین صورت است که ابتدا گازهای واکنش‌دهنده که به نام پیش‌ماده شناخته می‌شوند، در دمای مناسب وارد محفظه واکنش می‌شوند. تماس زیرلایه داغ با گازهای واکنش‌گر در محفظه واکنش منجر به رسوب یک لایه جامد روی زیرلایه می‌شود. معمولاً از یک گاز خنثی مانند آرگون نیز به‌عنوان رقیق‌کننده استفاده می‌شود.
دستگاه لایه‌نشانی شیمیایی بخار
توضیحات
اطلاعات بیشتر
| تولیدکننده | |
|---|---|
| استان محل تولید | |
| شهر محل تولید |
