دستگاه لایهنشانی اسپاترینگ مغناطیسی در مدلهای S1،S3T4BR و S7P، بهترتیب با یک، سه و هفت کاتد، مبتنی بر فناوری لایهنشانی فیزیکی بخار است که جدایش اتمهای یک تارگت جامد (کاتد)، ماده موردنظر برای ایجاد پوشش، بهدلیل بمباران تارگت توسط ذرات پر انرژی، مخصوصاً یونهای گازی صورت میگیرد. با انباشت اتمهای ساطع شده از تارگت روی زیرلایه (آند)، لایهنشانی اتم به اتم صورت میگیرد. در این روش، برای تبخیر تارگت، از برهمکُنش فیزیکی ذرههای باردار با تارگت استفاده میشود. یونها و ذرات باردار در اثر تخلیه الکتریکی و یونیزاسیون گاز موجود در محفظه کندوپاش، ایجاد میشوند. با بمباران و برخورد ذرات پر انرژی به سطح تارگت، اتمها یا مولکولهای آن از سطح جدا شده و به بیرون پرتاب میشوند. ذرات کندهشده در میدان ایجادکننده پلاسما شتاب گرفته و روی زیرلایه موردنظر رسوب میکنند.
